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公开(公告)号：CN113853614A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202080037211.6
申请日：2020-06-25
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种用于执行数据点的无监督聚类的方法包括基于每个数据点的特征维度来确定要包括在量子处理器中的量子位的数量。该方法包括，对于每个数据点对，在具有所确定的量子位的数量的量子处理器上执行量子电路。所述量子电路包括被参数化为具有第一多个旋转的特征图模板电路、被参数化为具有第二多个旋转的后向特征图模板电路、以及输出相似性度量的度量电路。所述方法包括基于每个数据点对的相似性度量来创建相似性矩阵，并且将相似性矩阵输入经典聚类算法以对数据点进行聚类。特征图模板电路和后向特征图模板电路各自使用量子处理器的量子位的叠加和纠缠的量子特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1322564C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN01822375.3
申请日：2001-11-23
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： J·O·徐 , D·D·库尔鲍格 , J·S·顿恩 , D·格林伯格 , D·哈拉梅 , B·杰甘内森 , R·A·约翰逊 , L·兰泽罗蒂 , K·T·舍恩伯格 , R·W·沃斯里奇
IPC: H01L21/331 , H01L29/737
CPC classification number: H01L29/66242 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/1004 , H01L29/161 , H01L29/7378
Abstract: 提供一种在发射区和集电区之间基本没有位错缺陷的SiGe双极型晶体管和其制造方法。该SiGe双极型晶体管包括第一导电类型的集电区(52)；在所述集电区(52)的一部分上形成的SiGe基区(54)；和在所述SiGe基区(54)的一部分上形成的所述第一导电类型的发射区(56)，其中所述集电区(52)和所述基区(54)包括其中连续的碳。该SiGe基区(54)进一步用硼掺杂。
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公开(公告)号：CN1502124A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN01822375.3
申请日：2001-11-23
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： J·O·徐 , D·D·库尔鲍格 , J·S·顿恩 , D·格林伯格 , D·哈拉梅 , B·杰甘内森 , R·A·约翰逊 , L·兰泽罗蒂 , K·T·舍恩伯格 , R·W·沃斯里奇
IPC: H01L21/331 , H01L29/737
CPC classification number: H01L29/66242 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/1004 , H01L29/161 , H01L29/7378
Abstract: 提供一种在发射区和集电区之间基本没有位错缺陷的SiGe双极型晶体管和其制造方法。该SiGe双极型晶体管包括第一导电类型的集电区(52)；在所述集电区(52)的一部分上形成的SiGe基区(54)；和在所述SiGe基区(54)的一部分上形成的所述第一导电类型的发射区(56)，其中所述集电区(52)和所述基区(54)包括其中连续的碳。该SiGe基区(54)进一步用硼掺杂。
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公开(公告)号：CN116438549A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202180075764.5
申请日：2021-11-09
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06N10/00
Abstract: 提供了关于量子计算机误差减轻的技术。例如，本文描述的一个或多个实施例可以包括一种系统，该系统可以包括可以存储计算机可执行部件的存储器。该系统还可以包括处理器，该处理器可操作地耦合到存储器，并且可以执行存储在存储器中的计算机可执行部件。计算机可执行部件可以包括误差减轻部件，该误差减轻部件从参考模型内插与目标拉伸因子相关联的门参数，该参考模型包括用于在多个参考拉伸因子处校准的量子门的参考门参数。
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