公开(公告)号：CN1322564C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN01822375.3

申请日：2001-11-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·O·徐 ,  D·D·库尔鲍格 ,  J·S·顿恩 ,  D·格林伯格 ,  D·哈拉梅 ,  B·杰甘内森 ,  R·A·约翰逊 ,  L·兰泽罗蒂 ,  K·T·舍恩伯格 ,  R·W·沃斯里奇

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/161 ,  H01L29/7378

Abstract: 提供一种在发射区和集电区之间基本没有位错缺陷的SiGe双极型晶体管和其制造方法。该SiGe双极型晶体管包括第一导电类型的集电区(52)；在所述集电区(52)的一部分上形成的SiGe基区(54)；和在所述SiGe基区(54)的一部分上形成的所述第一导电类型的发射区(56)，其中所述集电区(52)和所述基区(54)包括其中连续的碳。该SiGe基区(54)进一步用硼掺杂。

公开(公告)号：CN1502124A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN01822375.3

申请日：2001-11-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·O·徐 ,  D·D·库尔鲍格 ,  J·S·顿恩 ,  D·格林伯格 ,  D·哈拉梅 ,  B·杰甘内森 ,  R·A·约翰逊 ,  L·兰泽罗蒂 ,  K·T·舍恩伯格 ,  R·W·沃斯里奇

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/161 ,  H01L29/7378

Abstract: 提供一种在发射区和集电区之间基本没有位错缺陷的SiGe双极型晶体管和其制造方法。该SiGe双极型晶体管包括第一导电类型的集电区(52)；在所述集电区(52)的一部分上形成的SiGe基区(54)；和在所述SiGe基区(54)的一部分上形成的所述第一导电类型的发射区(56)，其中所述集电区(52)和所述基区(54)包括其中连续的碳。该SiGe基区(54)进一步用硼掺杂。