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发明公开
设置RRAM电阻的上限审中-公开

公开(公告)号：CN116806445A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202280009258.0

申请日：2022-01-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 金永硕 , 徐顺天 , 李忠贤 , 王仁祚 , A·雷兹尼塞克

IPC: H10B63/00

Abstract: 一种电子电路包括：多条字线；多条位线，在多个网格点处与所述多条字线相交；以及多个电阻式随机存取存储器单元，位于多个网格点处。电阻式随机存取存储器单元中的每一个包括：顶部金属(702)，耦合到以下中的一项：字线中的对应的一条字线和位线中的对应的一条位线；底部金属(704)，耦合到以下中的另一项：字线中的对应的一条字线和位线中的对应的一条位线；电介质(706)，夹在顶部金属与底部金属之间；以及高电阻半导体间隔件(701)，与电介质并联地将顶部金属和底部金属电连接。

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