公开(公告)号：CN115803871A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202180048193.6

申请日：2021-06-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张辰 ,  郭德超 ,  王俊利 ,  谢瑞龙 ,  程慷果 ,  李俊涛 ,  C·帕克 ,  鲍如强 ,  石城大 ,  于澜 ,  吴恒

IPC: H01L21/84

Abstract: 本发明的实施例可以包括半导体结构和制造方法。所述半导体结构可包含顶部沟道及底部沟道，其中所述顶部沟道包含多个垂直取向的沟道。底部沟道包括多个水平取向的沟道。所述半导体结构可以包括围绕所述顶部沟道和所述底部沟道的栅极。所述半导体结构可以包括位于所述栅极的每一侧上的间隔物。第一间隔物包括位于多个垂直取向的沟道之间的电介质材料。第二间隔物包括位于多个水平取向的沟道之间的电介质材料。这可以实现在垂直间隔物之间形成间隔物。

公开(公告)号：CN116635938A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202180083693.3

申请日：2021-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·W·布鲁 ,  王维 ,  玉仁祚 ,  于澜 ,  金永硕

IPC: G11C13/00

Abstract: 提供了一种模拟存储器结构，以及写入这样的结构的方法。该模拟存储器结构包括与非易失性存储器元件串联的易失性存储器元件。该模拟存储器结构可在施加电压时改变电阻。这可以使能模拟存储器结构的加速写入。

公开(公告)号：CN117397041A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202280038833.X

申请日：2022-06-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张婧芸 ,  谢瑞龙 ,  R·维加 ,  程慷果 ,  于澜

IPC: H01L29/775

Abstract: 在此披露的实施例包括一种用于减小寄生电容的纳米片晶体管。该纳米片晶体管可以包括在高k金属栅极堆叠(142)与外延层(136)之间的间隔区。该间隔区可以包括具有第一纳米片和第二纳米片(102)的第一纳米片堆叠。该间隔区可以包括位于该第一纳米片与该第二纳米片之间的内部间隔区、以及沿该第一纳米片、该内部间隔区以及该第二纳米片的边缘定位的侧通道区域(160)。