公开(公告)号：CN115803871A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202180048193.6

申请日：2021-06-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张辰 ,  郭德超 ,  王俊利 ,  谢瑞龙 ,  程慷果 ,  李俊涛 ,  C·帕克 ,  鲍如强 ,  石城大 ,  于澜 ,  吴恒

IPC: H01L21/84

Abstract: 本发明的实施例可以包括半导体结构和制造方法。所述半导体结构可包含顶部沟道及底部沟道，其中所述顶部沟道包含多个垂直取向的沟道。底部沟道包括多个水平取向的沟道。所述半导体结构可以包括围绕所述顶部沟道和所述底部沟道的栅极。所述半导体结构可以包括位于所述栅极的每一侧上的间隔物。第一间隔物包括位于多个垂直取向的沟道之间的电介质材料。第二间隔物包括位于多个水平取向的沟道之间的电介质材料。这可以实现在垂直间隔物之间形成间隔物。