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公开(公告)号：CN104733530B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201410708318.5
申请日：2014-11-28
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/02 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供应变半导体纳米线。在绝缘体层之上形成半导体衬垫部的对所横向邻接的至少一条半导体纳米线。部分所述绝缘体层从所述至少一条半导体纳米线下方被蚀刻，以使所述至少一条半导体纳米线悬置。在所述至少一条半导体纳米线之上沉积临时填充材料，并且该临时填充材料被平面化以使所述半导体衬垫部的对的顶面物理暴露。在所述半导体衬垫部的对内形成沟槽，并且用应力产生材料填充所述沟槽。随后去除所述临时填充材料。所述至少一条半导体纳米线以拉伸应变或压缩应变沿纵长方向发生应变。
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公开(公告)号：CN103811440B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310535805.1
申请日：2013-11-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/58 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了半导体装置及其形成方法、半导体电路及其使用方法。该半导体装置包括：包括硅基板层的基板结构、延伸穿过硅基板层的导电穿透基板通路。该装置还包括位于基板结构中的半导体器件以及位于穿透基板通路和半导体器件之间的导电壁。导电壁与硅基板层电接触。
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公开(公告)号：CN104733530A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410708318.5
申请日：2014-11-28
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/02 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7848 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/30604 , H01L21/308 , H01L21/31051 , H01L21/31111 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66636 , H01L29/66742 , H01L29/775 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供应变半导体纳米线。在绝缘体层之上形成半导体衬垫部的对所横向邻接的至少一条半导体纳米线。部分所述绝缘体层从所述至少一条半导体纳米线下方被蚀刻，以使所述至少一条半导体纳米线悬置。在所述至少一条半导体纳米线之上沉积临时填充材料，并且该临时填充材料被平面化以使所述半导体衬垫部的对的顶面物理暴露。在所述半导体衬垫部的对内形成沟槽，并且用应力产生材料填充所述沟槽。随后去除所述临时填充材料。所述至少一条半导体纳米线以拉伸应变或压缩应变沿纵长方向发生应变。
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公开(公告)号：CN103811440A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310535805.1
申请日：2013-11-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/58 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/58 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/585 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L2224/0557 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2224/06181 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/3025 , H01L2924/3512 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明公开了半导体装置及其形成方法、半导体电路及其使用方法。该半导体装置包括：包括硅基板层的基板结构、延伸穿过硅基板层的导电穿透基板通路。该装置还包括位于基板结构中的半导体器件以及位于穿透基板通路和半导体器件之间的导电壁。导电壁与硅基板层电接触。
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