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公开(公告)号：CN118369751A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202280080612.9
申请日：2022-08-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/56
Abstract: 一种电子器件，通过在结合到支撑基板的集成电路(IC)芯片的周边周围分配底部填充材料而形成。空隙存在于所述底部填充材料中，所述底部填充材料存在于所述IC芯片和所述支撑基板之间。开口穿过IC芯片和支撑基板中的至少一个而存在，与空隙连通。通过穿过IC芯片而存在的开口，可以将真空施加到空隙，以将空隙的尺寸减小到第一体积。用密封板密封穿过IC芯片而存在的开口。在密封开口之后固化底部填充材料，以将空隙减小到至少第二体积，该第二体积小于第一体积。
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公开(公告)号：CN118103167A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280068355.7
申请日：2022-11-09
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 提供一种用于将焊料材料注入位于晶片的顶表面中的通孔中的装置。该装置包括具有用于接触晶片的顶表面的接触表面的注射头部，以及用于通过注射头部将焊料材料注入到通孔中的至少一个孔。该装置还包括连接到注射头部的用于从通孔排出气体的排气设备。注射头部在接触晶片的顶表面的接触表面的边缘上具有倒角部分。
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公开(公告)号：CN1701428A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200480000899.1
申请日：2004-03-26
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 戴维·安格尔 , 弗雷德里克·保利奥 , 久田隆史 , 阿德利尼·凯利 , 萨缪尔·迈克奈特 , 宫井宏光 , 凯文·沙恩·皮特拉尔卡 , 沃尔夫冈·萨乌特 , 理查德·鲍尔·沃兰特 , 凯特林·温斯坦
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/03 , H01L2224/05073 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05187 , H01L2224/05556 , H01L2224/05558 , H01L2224/05624 , H01L2224/45144 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/3025 , H01L2924/04941 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本申请涉及内部增强的焊盘。具体公开了一种加强焊盘结构，其具有非平面电介质结构以及共形地形成在所述非平面电介质结构上的金属接合层。所述非平面电介质结构基本上被再现在所述金属接合层中，以形成非平面金属结构。环绕每一个非平面金属结构有一个电介质材料环，在探查焊盘期间提供硬停止体，以限制焊盘在探查期间可被去除的量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118302848A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202280078058.0
申请日：2022-09-04
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/56 , C09J5/06
Abstract: 分选器晶片和分选晶片的方法包括定位分选器，该分选器通过包括解除接合层、光学增强层和抗反射层的接合层附接到晶片。使用激光器将分选器从晶片上解除接合，该激光器发射一定波长的激光能量，该波长的激光能量被解除接合层吸收并被光学增强层限制在解除接合层中，使得当解除接合层的材料暴露于激光能量时，该材料被烧蚀，从而释放晶片。
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公开(公告)号：CN111279473A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201880069760.4
申请日：2018-10-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/48
Abstract: 公开了一种在衬底(110)上制造凸点(120)的技术。制备衬底(110)，该衬底包括在其表面上形成的一组焊盘(112)。在衬底(110)的每个焊盘(112)上形成凸点基部(126)。每个凸点基部(126)具有从相应的焊盘(112)向外延伸的尖端(126b)。在衬底(110)上构图抗蚀剂层(130)以具有穿过抗蚀剂层(130)的一组孔(130a)。每个孔(130a)与相应的焊盘(112)对准并且具有被配置为围绕形成在相应的焊盘(112)上的凸点基部(126)的尖端(126b)的空间。用导电材料(124)填充抗蚀剂层(130)中的一组孔(130a)以在衬底(110)上形成一组凸点(120)。从衬底(110)上剥离抗蚀剂层(130)而留下一组凸点(120)。
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公开(公告)号：CN100373569C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200480000899.1
申请日：2004-03-26
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 戴维·安格尔 , 弗雷德里克·保利奥 , 久田隆史 , 阿德利尼·凯利 , 萨缪尔·迈克奈特 , 宫井宏光 , 凯文·沙恩·皮特拉尔卡 , 沃尔夫冈·萨乌特 , 理查德·鲍尔·沃兰特 , 凯特林·温斯坦
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/03 , H01L2224/05073 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05187 , H01L2224/05556 , H01L2224/05558 , H01L2224/05624 , H01L2224/45144 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/3025 , H01L2924/04941 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本申请涉及内部增强的焊盘。具体公开了一种加强焊盘结构，其具有非平面电介质结构以及共形地形成在所述非平面电介质结构上的金属接合层。所述非平面电介质结构基本上被再现在所述金属接合层中，以形成非平面金属结构。环绕每一个非平面金属结构有一个电介质材料环，在探查焊盘期间提供硬停止体，以限制焊盘在探查期间可被去除的量。
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公开(公告)号：CN117652020A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202280050589.9
申请日：2022-08-11
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/538
Abstract: 一种制造桥接多芯片组件结构(150)的方法包括提供载体基板(300)。该方法还包括将多个芯片(100)以预定布局布置在载体基板(300)上。每个芯片(100)具有前表面(102)，该前表面(102)包括形成在其上的一组端子(108)。该方法还包括在多个芯片(100)之间以及在载体基板(300)上沉积模制材料(310)。该方法还包括从通过模制材料(310)固定的多个芯片(100)去除载体基板(300)。该方法还包括将桥芯片(120)接合到由模制材料(310)固定的多个芯片(100)中的至少两个芯片(100A,100B)的对应端子组(108)。
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