底部填充真空工艺
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118369751A

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202280080612.9

    申请日:2022-08-29

    Abstract: 一种电子器件,通过在结合到支撑基板的集成电路(IC)芯片的周边周围分配底部填充材料而形成。空隙存在于所述底部填充材料中,所述底部填充材料存在于所述IC芯片和所述支撑基板之间。开口穿过IC芯片和支撑基板中的至少一个而存在,与空隙连通。通过穿过IC芯片而存在的开口,可以将真空施加到空隙,以将空隙的尺寸减小到第一体积。用密封板密封穿过IC芯片而存在的开口。在密封开口之后固化底部填充材料,以将空隙减小到至少第二体积,该第二体积小于第一体积。

    防止材料注入的材料滴落

    公开(公告)号:CN113767457A

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202080032904.6

    申请日:2020-05-04

    Abstract: 公开了一种用于注入材料的注入设备。注入装置包括用于储存材料的罐。注入装置进一步包括头主体,该头主体具有用于接触基底的表面和开口部分,该开口部分在表面处开口以用于排出与罐流体连通的材料。注入装置进一步包括连接至开口部的构件,其中,构件允许气体流入和流出开口部。

    防止材料注入的材料滴落

    公开(公告)号:CN113767457B

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202080032904.6

    申请日:2020-05-04

    Abstract: 公开了一种用于注入材料的注入设备。注入装置包括用于储存材料的罐。注入装置进一步包括头主体,该头主体具有用于接触基底的表面和开口部分,该开口部分在表面处开口以用于排出与罐流体连通的材料。注入装置进一步包括连接至开口部的构件,其中,构件允许气体流入和流出开口部。

    通过桥芯片实现芯片之间的互连
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117652020A

    公开(公告)日:2024-03-05

    申请号:CN202280050589.9

    申请日:2022-08-11

    Abstract: 一种制造桥接多芯片组件结构(150)的方法包括提供载体基板(300)。该方法还包括将多个芯片(100)以预定布局布置在载体基板(300)上。每个芯片(100)具有前表面(102),该前表面(102)包括形成在其上的一组端子(108)。该方法还包括在多个芯片(100)之间以及在载体基板(300)上沉积模制材料(310)。该方法还包括从通过模制材料(310)固定的多个芯片(100)去除载体基板(300)。该方法还包括将桥芯片(120)接合到由模制材料(310)固定的多个芯片(100)中的至少两个芯片(100A,100B)的对应端子组(108)。

    凸起结构的形成
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114586145A

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202080071173.6

    申请日:2020-09-22

    Abstract: 公开了一种凸起结构的制造技术。制备包括形成在其表面上的衬垫的组的衬底,衬垫包括第一导电材料。在每个衬垫上涂覆金属粘合层。通过使用模制层烧结导电颗粒来在每个衬垫上形成凸起基底,导电颗粒包括与所述第一导电材料不同的第二导电材料。

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