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公开(公告)号：CN105633168A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201511032546.6
申请日：2015-12-31
CPC分类号： H01L21/04 , H01L29/78 , H01L29/7806 , H01L21/0445 , H01L29/66068
摘要： 本发明提供一种集成肖特基二极管的SiC沟槽型MOSFET器件及其制造方法，所述器件包括：1)沟槽型MOSFET：N+衬底及其上的N-漂移层，所述N-漂移层包含彼此隔离的有N+源区的P阱；所述P阱外侧的U型沟道，所述U型沟道表面有氧化层，其内有栅极；所述栅极及部分所述N+源区上的隔离层；和正面的源极及背面的漏极；2)肖特基二极管：所述N-漂移层内的所述P阱间的N-漂移层与所述源极金属形成的肖特基接触。本发明通过在沟槽型SiC MOSFET中引入肖特基二极管，在器件工作时，起续流二极管的作用，提高了电路工作的效率与可靠性，降低了电路制作成本。
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公开(公告)号：CN205595339U
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201521141019.4
申请日：2015-12-31
摘要： 本实用新型提供一种集成肖特基二极管的SiC沟槽型MOSFET器件，所述器件包括：1)沟槽型MOSFET：N+衬底及其上的N‑漂移层，所述N‑漂移层包含彼此隔离的有N+源区的P阱；所述P阱外侧的U型沟道，所述U型沟道表面有氧化层，其内有栅极；所述栅极及部分N+源区上为隔离层；正面为源极及背面为漏极；2)肖特基二极管：所述N‑漂移层内的所述P阱间的N‑漂移层与所述源极金属形成的肖特基接触。本实用新型通过在沟槽型SiCMOSFET中引入肖特基二极管，在器件工作时，起续流二极管的作用，提高了电路工作的效率与可靠性，降低了电路制作成本。
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公开(公告)号：CN106611705A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510685998.8
申请日：2015-10-21
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/314 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02107 , H01L21/0223 , H01L21/02236 , H01L21/324
摘要： 本发明提供一种碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法，所述方法包括：1)清洗碳化硅外延衬底；2)氧化步骤1)所述衬底；3)于无氧的含磷环境中，退火处理步骤2)所述氧化的碳化硅样品。本发明在传统氧化的基础上，加入磷环境下的退火，有助于提高氧化层质量，实现二氧化硅与碳化硅界面的钝化，降低碳化硅/二氧化硅界面态密度，提高沟道电子迁移率，减小器件的性能退化，工艺简单，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN105448967A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510969720.3
申请日：2015-12-21
IPC分类号： H01L29/423 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/42312 , H01L29/401
摘要： 本发明公开了一种新型栅结构及其制造方法，所述栅结构包括同平面设置的具有电极引线的栅pad区域(11)，以栅pad区域(11)为中心的发射状汇流条(12)和环状汇流条(13)，所述发射状汇流条(12)和所述环状汇流条(13)与周围元胞栅相连；所述方法包括：在同一图层上绘制栅pad区域(11)、发射状汇流条(12)和环状汇流条(13)的版图；制备栅pad区域(11)、发射状汇流条(12)和环状汇流条(13)；在栅pad区域(11)上制备电极引线，隔离发射状汇流条(12)和环状汇流条(13)与源电极或其他通流电极。本发明栅结构的网状汇流条有助于栅电压的扩展，缓解了由于栅电压扩展延迟造成的距栅pad较远的元胞开启延迟的问题，有助于提高器件性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN106611705B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201510685998.8
申请日：2015-10-21
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/314 , H01L21/324
摘要： 本发明提供一种碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法，所述方法包括：1)清洗碳化硅外延衬底；2)氧化步骤1)所述衬底；3)于无氧的含磷环境中，退火处理步骤2)所述氧化的碳化硅样品。本发明在传统氧化的基础上，加入磷环境下的退火，有助于提高氧化层质量，实现二氧化硅与碳化硅界面的钝化，降低碳化硅/二氧化硅界面态密度，提高沟道电子迁移率，减小器件的性能退化，工艺简单，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN106611700B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201510685847.2
申请日：2015-10-21
IPC分类号： H01L21/04
摘要： 本发明公开了一种碳化硅表面氧化膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：1)清洗包括衬底(11)和外延薄膜(12)的碳化硅材料(10)；2)对所述外延薄膜(12)的上表面进行氧等离子体处理；3)高温下氢气预处理步骤2)所得样品(13)；4)氧化步骤3)所得样品(14)，得氧化膜(15)。本发明方法通过于碳化硅氧化膜形成前进行碳化硅表面钝化，提高碳化硅氧化膜质量，降低碳化硅/二氧化硅界面态密度，该方法简单易行，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN106996995A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201610045067.6
申请日：2016-01-22
CPC分类号： G01R1/06722 , G01R31/2886
摘要： 本发明提供的一种柔性探针，探针包括支撑臂、柔性接触探针及柔性连接点，柔性可固定连接或可拆卸，柔性接触探针为二维或三维结构；柔性接触探针为烟斗状或汤匙状且其空间体积为1μm3～0.1m3。本发明提供的探针带有可固定、可拆卸的柔性接触点，便于更换受损的探针；采用二维或三维结构的烟斗状或汤匙状结构，替换现有技术中的一维点接触结构的探针，能避免在芯片测试过程中损伤芯片表面金属层及损毁电器件；该探针与芯片电极接触面大，能在大电流器件测试过程中使电流分布更均匀，避免一维点状探针尖端带电打火烧毁器件，显著提高了电器件芯片级测试过程的安全性。
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公开(公告)号：CN106611700A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510685847.2
申请日：2015-10-21
IPC分类号： H01L21/04
CPC分类号： H01L21/045
摘要： 本发明公开了一种碳化硅表面氧化膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：1)清洗包括衬底(11)和外延薄膜(12)的碳化硅材料(10)；2)对所述外延薄膜(12)的上表面进行氧等离子体处理；3)高温下氢气预处理步骤2)所得样品(13)；4)氧化步骤3)所得样品(14)，得氧化膜(15)。本发明方法通过于碳化硅氧化膜形成前进行碳化硅表面钝化，提高碳化硅氧化膜质量，降低碳化硅/二氧化硅界面态密度，该方法简单易行，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN105869996A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610262594.2
申请日：2016-04-25
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网上海市电力公司
CPC分类号： H01L21/02661 , C30B25/02 , H01L21/02378 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/02634
摘要： 本发明提供一种碳化硅外延生长系统及其生长方法。本发明提供的外延系统可进行慢速生长、快速生长、N型掺杂、P型掺杂、单层外延生长、多层外延生长、薄膜外延层生长、厚膜外延层生长、选择性刻蚀等多种功能性的碳化硅外延生长；该系统可依据外延结构要求选择生长模式，生长适合的外延材料。本发明提供的技术方案生长的外延材料质量更优，缺陷更少，更适合应用于高电压电力电子器件中；其适合范围广、生长方法简单、加工成本低，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN205845906U
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201620356478.2
申请日：2016-04-25
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网上海市电力公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本实用新型提供一种碳化硅外延生长系统。本实用新型提供的外延系统可进行慢速生长、快速生长、N型掺杂、P型掺杂、单层外延生长、多层外延生长、薄膜外延层生长、厚膜外延层生长、选择性刻蚀等多种功能性的碳化硅外延生长；该系统可依据外延结构要求选择生长模式，生长适合的外延材料。本实用新型提供的技术方案生长的外延材料质量更优，缺陷更少，更适合应用于高电压电力电子器件中；其适合范围广、生长方法简单、加工成本低，适合工业化生产。
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