一种SLS与PIP相结合制备低孔隙率SiC陶瓷基复合材料的方法

    公开(公告)号:CN116444275B

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202310456982.4

    申请日:2023-04-26

    摘要: 本发明涉及SiC陶瓷的3D打印领域,尤其是涉及一种SLS与PIP相结合制备低孔隙率SiC陶瓷基复合材料的方法,其包括以下步骤:(1)将SiC粉体与粘结剂在混合机中混合均匀,得到复合粉体,其中所述粘结剂是环氧树脂纤维与环氧树脂颗粒的混合物;(2)将步骤(1)的复合粉体使用选择性激光烧结技术(SLS)进行3D打印,得到SiC陶瓷初坯;(3)将步骤(2)的SiC陶瓷初坯进行脱脂和高温烧结处理,得到SiC多孔陶瓷;(4)将步骤(3)的SiC多孔陶瓷使用先驱体浸渍裂解技术(PIP)进行致密化,得到低孔隙率SiC陶瓷基复合材料。通过本发明的方法,成功获得了具有较低的孔隙率和较高的致密度的SiC陶瓷基复合材料。

    一种高灵敏度宽传感范围的柔性复合薄膜及其应用

    公开(公告)号:CN113733697B

    公开(公告)日:2023-05-19

    申请号:CN202110919946.8

    申请日:2021-08-11

    摘要: 本发明公开了一种高灵敏度宽传感范围的柔性复合薄膜及其应用,属于可穿戴传感器和电子皮肤等的应用领域。本发明要解决柔性基底和活性材料的结合力不强、材料的耐用性不强、传感范围不够大的技术问题。本发明柔性复合薄膜包括MXene/TPU复合薄膜和PDMS薄膜,所述PDMS薄膜设置在MXene/TPU复合薄膜两侧并与其粘结为一体;其中,MXene/TPU复合薄膜是采用涂膜法制备TPU薄膜,再喷涂2D的Ti3C2MXene纳米片配置的胶体水溶液后烘干得到的。本发明适用于健康检测、运动讯号、检测机器人动作、可穿戴电子设备等一系列应用。

    一种基于聚吡咯的柔性可穿戴压阻传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN115808235A

    公开(公告)日:2023-03-17

    申请号:CN202211467214.0

    申请日:2022-11-22

    IPC分类号: G01H11/06 A61B5/024

    摘要: 一种基于聚吡咯的柔性可穿戴压阻传感器制备方法,属于可穿戴压阻传感器领域。本发明以吡咯和对甲苯磺酸钠为原料,使用电化学法制备了聚吡咯薄膜,然后使用市售的3M胶带并对其双轴拉伸,再将聚吡咯薄膜粘贴在其上,制备了褶皱结构薄膜。最后使用3M胶带和PDMS对其进行封装,得到了基于聚吡咯的柔性可穿戴压阻传感器。本发明通过构筑微褶皱结构,很好地提高了传感器的性能。当传感器压缩变形时,上下两个电极由点接触变为面接触,形成大量新的导电通路,使传感器的阻值减小。本发明的传感器制备方法简单、成本低,并且性能优异,在健康监测、运动监测、运动监测、人工智能、可穿戴设备和人机交互等领域具有很大的发展潜力。

    GNP@PDA-Ag核壳型纳米粒子的制备方法以及制备聚合物基复合薄膜的方法和应用

    公开(公告)号:CN113121886B

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202010038050.4

    申请日:2020-01-14

    摘要: GNP@PDA‑Ag核壳型纳米粒子的制备方法以及制备聚合物基复合薄膜的方法和应用,主要涉及一种石墨烯核壳结构填料以及聚合物基复合薄膜的制备方法。本发明目的是改善聚合物介电性能,并防止导电填料团聚,使填料在聚合物中形成均匀分散矩阵。GNP@PDA‑Ag纳米粒子制备方法:将盐酸多巴胺溶于Tris‑HCl缓冲液中,然后调节pH值,加入石墨烯悬浊液,磁力搅拌下加热,抽滤,用去离子水清洗,烘干制得GNP@PDA纳米粒子;然后与银氨溶液混合,在PVP的存在下,加热反应,抽滤清洗后获得。之后与聚合物胶液共混,采用铺膜和压片制备聚合物基复合薄膜。本发明用于制作传感器或者制动器。

    一种高介电性能三元复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113912966A

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN202111136204.4

    申请日:2021-09-27

    摘要: 本发明公开了一种高介电性能三元复合材料及其制备方法,属于嵌入式电容器和半导体存储器件等的应用领域。本发明复合材料由聚偏氟乙烯和填料组成,填料为硅烷偶联剂KH550改性碳化硅纳米线和硅烷偶联剂KH570改性四针状氧化锌晶须;是按下述步骤进行的:将KH550‑SiCNWs和KH570‑T‑ZnOw溶于N,N二甲基甲酰胺中,室温超声震荡至少2h,加入PVDF粉末,在室温下超声溶解反应至少4h,得到掺杂改性填料溶胶;然后进行抽滤和抽气泡,然后铺膜,然后烘干,得到复合薄膜;积叠放后热压,得高介电性能三元复合材料。相较于SiCNWs/PVDF二元复合材料,本发明的三元复合材料具有更加优异的介电性能。

    GNP@PDA-Ag核壳型纳米粒子的制备方法以及制备聚合物基复合薄膜的方法和应用

    公开(公告)号:CN113121886A

    公开(公告)日:2021-07-16

    申请号:CN202010038050.4

    申请日:2020-01-14

    摘要: GNP@PDA‑Ag核壳型纳米粒子的制备方法以及制备聚合物基复合薄膜的方法和应用,主要涉及一种石墨烯核壳结构填料以及聚合物基复合薄膜的制备方法。本发明目的是改善聚合物介电性能,并防止导电填料团聚,使填料在聚合物中形成均匀分散矩阵。GNP@PDA‑Ag纳米粒子制备方法:将盐酸多巴胺溶于Tris‑HCl缓冲液中,然后调节pH值,加入石墨烯悬浊液,磁力搅拌下加热,抽滤,用去离子水清洗,烘干制得GNP@PDA纳米粒子;然后与银氨溶液混合,在PVP的存在下,加热反应,抽滤清洗后获得。之后与聚合物胶液共混,采用铺膜和压片制备聚合物基复合薄膜。本发明用于制作传感器或者制动器。

    高介电常数低介电损耗聚偏氟乙烯基复合薄膜及制备方法

    公开(公告)号:CN105235343B

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201510710127.7

    申请日:2015-10-28

    IPC分类号: B32B27/30 B32B27/18 B32B33/00

    摘要: 本发明涉及一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。近年来,高介电常数和低介电损耗的介电功能材料由于其在电子行业和能源储存方面的广泛应用而得到了巨大的关注。一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜,其组成包括:纯聚偏氟乙烯层(1)、掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层(2),其特征是:所述的纯聚偏氟乙烯层和所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层垂直于铺膜方向间隔铺层布置。本发明应用于高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。