公开(公告)号：CN113912966A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111136204.4

申请日：2021-09-27

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 翁凌 ,  苏宇 ,  关丽珠 ,  王小明

IPC: C08L27/16 ,  C08K9/06 ,  C08K7/10 ,  C08K7/08 ,  C08J5/18 ,  B32B27/30 ,  B32B27/20 ,  B32B27/06 ,  B32B37/10

Abstract: 本发明公开了一种高介电性能三元复合材料及其制备方法，属于嵌入式电容器和半导体存储器件等的应用领域。本发明复合材料由聚偏氟乙烯和填料组成，填料为硅烷偶联剂KH550改性碳化硅纳米线和硅烷偶联剂KH570改性四针状氧化锌晶须；是按下述步骤进行的：将KH550‑SiCNWs和KH570‑T‑ZnOw溶于N,N二甲基甲酰胺中，室温超声震荡至少2h，加入PVDF粉末，在室温下超声溶解反应至少4h，得到掺杂改性填料溶胶；然后进行抽滤和抽气泡，然后铺膜，然后烘干，得到复合薄膜；积叠放后热压，得高介电性能三元复合材料。相较于SiCNWs/PVDF二元复合材料，本发明的三元复合材料具有更加优异的介电性能。

公开(公告)号：CN113912966B

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202111136204.4

申请日：2021-09-27

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 翁凌 ,  苏宇 ,  关丽珠 ,  王小明

IPC: C08L27/16 ,  C08K9/06 ,  C08K7/10 ,  C08K7/08 ,  C08J5/18 ,  B32B27/30 ,  B32B27/20 ,  B32B27/06 ,  B32B37/10

Abstract: 本发明公开了一种高介电性能三元复合材料及其制备方法，属于嵌入式电容器和半导体存储器件等的应用领域。本发明复合材料由聚偏氟乙烯和填料组成，填料为硅烷偶联剂KH550改性碳化硅纳米线和硅烷偶联剂KH570改性四针状氧化锌晶须；是按下述步骤进行的：将KH550‑SiCNWs和KH570‑T‑ZnOw溶于N,N二甲基甲酰胺中，室温超声震荡至少2h，加入PVDF粉末，在室温下超声溶解反应至少4h，得到掺杂改性填料溶胶；然后进行抽滤和抽气泡，然后铺膜，然后烘干，得到复合薄膜；积叠放后热压，得高介电性能三元复合材料。相较于SiCNWs/PVDF二元复合材料，本发明的三元复合材料具有更加优异的介电性能。