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公开(公告)号：CN117998720A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410082088.X
申请日：2024-01-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于亲电子物质注入的等离子体鞘套电子密度调控系统及其方法，涉及低温等离子体技术领域。缓解现有高速飞行器在临近空间段飞行过程中由于等离子体鞘套高电子密度引发的通信信号衰减，即通信“黑障”问题。所述调控系统包括三通道级联电弧等离子体源、进气管道、朗缪尔探针和真空腔室；所述三通道级联电弧等离子体源用于产生等离子体束流并输送给所述真空腔室，模拟出等离子体鞘套环境；所述进气管道用于将亲电子物质注入所述等离子体鞘套环境；所述朗缪尔探针用于诊断所述等离子体鞘套环境内亲电子物质注入前后的等离子体密度变化。本发明适用于降低等离子体鞘套电子密度进而缓解通信“黑障”问题。
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公开(公告)号：CN117334355A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202310789059.2
申请日：2023-06-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 高热负荷发生试验装置及方法，涉及高热负荷能流环境模拟及控制研究领域。为解决现有技术中存在的，目前正在运行的核聚变研究装置放电脉冲较短、偏滤器靶板热流密度较低，很难达到ITER/CFETR设计参数区间范围的问题，本发明提供的技术方案为：高热负荷发生试验装置，包括：真空系统、等离子体发生系统、线圈系统、进气系统、线圈励磁电源和诊断系统；等离子体发生系统与真空系统连接，用于产生等离子体束流；进气系统与等离子体发生系统相连、对真空系统给气，线圈系统嵌套在真空系统上，诊断系统用于采集真空系统内环境参数；适合应用于基于超导技术强磁场聚集高密度等离子体束流的高热负荷发生试验装置的研究和使用工作中。
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公开(公告)号：CN113727507B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110942578.9
申请日：2021-08-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种多通道电弧等离子体源级联铜片水冷装置及其优化方法。本发明涉及低温等离子体技术领域，所述装置包括：圆柱形铜片、钼环、密封圈、不锈钢管道；多个圆柱形铜片堆叠在一起形成级联铜片，钼环中间设有多通道级联电弧源的放电通道，钼环圆心距铜片圆心10mm，三个钼环互相呈120°放置，密封圈的圆心与铜片圆心重合，铜片内部存在水冷通道与外部的不锈钢管道相连接。本发明中提出的级联铜片水冷计算方法可以应用于任意结构的水冷通道，降低了级联铜片冷却效果的分析难度。本发明中提出的两种级联铜片水冷优化结构，相较于现有的水冷结构，铜片上密封圈位置的温度得到了降低，密封圈各位置的温度差异下降，冷却效率提高。
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公开(公告)号：CN115436330B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202210942642.8
申请日：2022-08-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明属于检测领域，公开了一种双脉冲激光诱导解吸附光谱测量系统及其测量托卡马克共沉积层中氘分布的方法。利用毫秒激光器(2)发射第一束脉冲激光，照射在靶样品(9)表面对靶样品(9)进行脉冲加热解吸附；利用纳秒激光器(1)发射第二束脉冲激光，汇聚在靶样品(9)表面的上方；对于收集到的氘气体进行激发电离，使靶样品(9)的氘气体形成等离子体产生发射谱线；利用光谱仪(7)对步骤3的等离子体的发射谱线进行收集并输出数据；对输出的数据，利用计算机(6)进行分析，得到曲线图，并对曲线图进行分析，得到氘滞留含量的相对分度。本发明针对现有技术中不利于实验的准确分析且会消耗更多的能量的问题。
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公开(公告)号：CN115002996B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202210675037.9
申请日：2022-06-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05H1/00
Abstract: 本发明属于等离子体诊断技术领域；公开了一种等离子体密度测量的三探针诊断系统及其使用方法。所述三探针诊断系统包括真空腔室10，所述真空腔室10内装入等离子体13，所述真空腔室10上设置真空泵口12和光学诊断窗口14，所述真空腔室10的尾端设置观察窗口15，所述真空腔室10的首端设置三探针诊断17系统，所述真空腔室10的首端与放电等离子体源系统16相连通。本发明用以解决在高气压、强碰撞放电条件下对于宽范围等离子体密度的诊断问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115436330A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210942642.8
申请日：2022-08-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明属于检测领域，公开了一种双脉冲激光诱导解吸附光谱测量系统及其测量托卡马克共沉积层中氘分布的方法。利用毫秒激光器(2)发射第一束脉冲激光，照射在靶样品(9)表面对靶样品(9)进行脉冲加热解吸附；利用纳秒激光器(1)发射第二束脉冲激光，汇聚在靶样品(9)表面的上方；对于收集到的氘气体进行激发电离，使靶样品(9)的氘气体形成等离子体产生发射谱线；利用光谱仪(7)对步骤3的等离子体的发射谱线进行收集并输出数据；对输出的数据，利用计算机(6)进行分析，得到曲线图，并对曲线图进行分析，得到氘滞留含量的相对分度。本发明针对现有技术中不利于实验的准确分析且会消耗更多的能量的问题。
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公开(公告)号：CN119012490A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411262888.6
申请日：2024-09-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种凹腔型螺旋波等离子体源，涉及等离子体科学技术领域。为解决现有技术中存在的，直线装置在放电中往往会破坏装置既定的磁场位形使实验产生偏差，在强磁场下难以达到符合预期的效果的技术问题，本发明提供的技术方案为：一种凹腔型螺旋波等离子体源，包括：真空密封及支撑部分，包括石英钟罩，为钟形，用于提供真空环境，底部固定在主法兰上，主法兰连接外部设备；所述电磁屏蔽与散热部分，包括屏蔽罩，为筒形，用于提供屏蔽能力，套接在所述主法兰外侧；天线，为L形，用于连接外部水冷系统和电源，设置在所述石英钟罩和屏蔽罩之间。所述述屏蔽罩通过内螺纹与所述主法兰连接，通过风扇和扇形空隙实现散热。应用于等离子体领域的等离子体源。
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公开(公告)号：CN113727507A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110942578.9
申请日：2021-08-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种多通道电弧等离子体源级联铜片水冷装置及其优化方法。本发明涉及低温等离子体技术领域，所述装置包括：圆柱形铜片、钼环、密封圈、不锈钢管道；多个圆柱形铜片堆叠在一起形成级联铜片，钼环中间设有多通道级联电弧源的放电通道，钼环圆心距铜片圆心10mm，三个钼环互相呈120°放置，密封圈的圆心与铜片圆心重合，铜片内部存在水冷通道与外部的不锈钢管道相连接。本发明中提出的级联铜片水冷计算方法可以应用于任意结构的水冷通道，降低了级联铜片冷却效果的分析难度。本发明中提出的两种级联铜片水冷优化结构，相较于现有的水冷结构，铜片上密封圈位置的温度得到了降低，密封圈各位置的温度差异下降，冷却效率提高。
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公开(公告)号：CN117890638A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311802902.2
申请日：2023-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于磁力传动密封的高速往复式电动探针系统及驱动方法，涉及等离子体诊断技术领域。为解决现有技术中存在的，现有的往复式快动探针系统中，气缸虽然可以通过进气量与负载的大小对于探针的位移距离进行大致的标定，但是在这种情况下气动探针的空间分辨率不能做到很高，而波纹管会导致探针杆不必要的长度增加，由相似三角形效应导致误差放大，测量精度降低的技术问题，本发明提供的技术方案为：基于磁力传动密封的高速往复式电动探针系统，系统包括：筒型真空舱室和探针系统，探针系统中探针的轴线与真空舱室轴线平行设置；探针系统与真空舱室的一端固定连接；探针在真空舱室内部，沿探针轴线做往复运动。可以应用于等离子体领域的诊断系统。
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公开(公告)号：CN115327261A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210872778.6
申请日：2022-07-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 等离子体源烧蚀透波试验真空舱及基于级联电弧等离子体源的烧蚀透波试验装置，涉及等离子体源领域。为了解决现有技术中存在的：对于临近空间黑障问题的研究中，无法对任意目标头部形成的弓形激波做详细的研究的问题，以及采用地面模拟的方式会影响天线的测量误差的问题，本发明提供的技术方案为：等离子体源烧蚀透波试验真空舱，真空舱包括：真空腔室、等离子体源、天线保护罩和天线组；真空腔室为中空圆柱体；天线保护罩设置在真空腔室内部，用于容纳天线组、使天线组的放置方向与真空腔室的轴线平行；等离子体源设置在真空腔室的一端，体源的体源喷口与天线保护罩的端部同心对中。适合应用于临近空间黑障问题的研究中。
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