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公开(公告)号：CN105040093A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510527468.0
申请日：2015-08-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种混合热场结构蓝宝石晶体生长炉，本发明涉及蓝宝石晶体生长炉。本发明要解决现有装置存在高温下材料挥发污染热场，并且能耗大，晶体的性价比低的技术问题。该装置包括外壳、钼桶、顶保温层、底保温层、高温区侧保温层、填充球、钨杆加热器、钼坩埚和坩埚轴；其中钼坩埚设置在钼桶内部，钼坩埚的底部与坩埚轴连接，坩埚轴穿过底保温层。本发明装置结合了石墨加热器、钨钼材料、氧化铝材料、碳毡材料的保温的特点，既能解决高温下材料挥发污染热场的缺点，又能有效地降低能耗，从而提高晶体的性价比。本发明用于生长制备蓝宝石晶体。
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公开(公告)号：CN103803955B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201410074632.2
申请日：2014-03-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B29/06 , C04B35/14 , C04B35/622 , C30B28/06
Abstract: 一种氮化硅/氧化硅复合坩埚的制备方法，它涉及一种复合坩埚的制备方法。本发明是要解决目前的底部的热导率高于侧壁的坩埚的生产造价高并且生产成功率低的技术问题。本发明的氮化硅/氧化硅复合坩埚的制备方法：制浆、浇注、脱坯、高温烧结。本发明的氮化硅/氧化硅复合坩埚可以提高加热效率和散热效率，极大改进了硅熔体的定向凝固效果，从而提高硅晶体生长的质量，可以降低晶体硅光伏发电的成本。本发明主要应用于多晶硅定向凝固生长。
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公开(公告)号：CN109810053B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201910152850.6
申请日：2019-02-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C07D213/82
Abstract: 一种椭球形吡氟草胺晶体的结晶方法，它涉及一种吡氟草胺晶体的结晶方法。本发明的目的是要解决现有吡氟草胺晶体的结晶方法无法得到椭球形吡氟草胺晶体的问题。结晶方法：一、配制溶液；二、温度振荡；三、分阶段熟化，即完成椭球形吡氟草胺晶体的结晶生长，对椭球形吡氟草胺晶体进行回收。有益效果：一、吡氟草胺晶体呈椭球状。二、比表面积为0.110～0.230，溶出释放速率为0.091g/min～0.120g/min。本发明主要用于制备椭球形吡氟草胺晶体。
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公开(公告)号：CN107675251B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201710900796.X
申请日：2017-09-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高纯硒化镉多晶材料的气相合成方法，它涉及一种硒化镉多晶材料的合成方法。本发明的目的是要解决现有硒化镉合成方法存在反应温度高，耗时长，且生产的硒化镉纯度低的问题。气相合成方法：一、称取单质硒和单质镉；二、气相合成：①、反应区加热；②、冷凝区控温；③、单质硒气化；④、单质镉气化；⑤、气相合成，硒化镉多晶以固态形式沉积，未充分反应的气态单质硒与气态单质镉流至冷凝区并沉积，冷却至室温，得到硒化镉多晶粉体。优点：降低了反应温度，缩短合成时间。提高硒化镉多晶粉体纯度，纯度＞99％。本发明主要用于气相合成高纯硒化镉多晶。
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公开(公告)号：CN108166063B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201711434604.7
申请日：2017-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种顶部籽晶导热的硒化镉单晶气相生长方法，它涉及一种硒化镉单晶气相生长方法。本发明目的是要解决现有的生长CdSe晶体的高压布里奇曼法设备复杂，且易发生爆炸，而温梯熔体区熔法与气相提拉法的晶向不可控、光学品质差的问题。一种顶部籽晶导热的硒化镉单晶气相生长方法：一、制备籽晶片；二、装料得到装料密封石英管；三、晶体生长：①、活化；②、生长；四、后处理，在籽晶片表面得到硒化镉单晶体。优点：中远红外波段的透过率达到65％以上。本发明主要用于硒化镉单晶气相生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109810053A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910152850.6
申请日：2019-02-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C07D213/82
Abstract: 一种椭球形吡氟草胺晶体的结晶方法，它涉及一种吡氟草胺晶体的结晶方法。本发明的目的是要解决现有吡氟草胺晶体的结晶方法无法得到椭球形吡氟草胺晶体的问题。结晶方法：一、配制溶液；二、温度振荡；三、分阶段熟化，即完成椭球形吡氟草胺晶体的结晶生长，对椭球形吡氟草胺晶体进行回收。有益效果：一、吡氟草胺晶体呈椭球状。二、比表面积为0.110～0.230，溶出释放速率为0.091g/min～0.120g/min。本发明主要用于制备椭球形吡氟草胺晶体。
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公开(公告)号：CN108166063A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711434604.7
申请日：2017-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种顶部籽晶导热的硒化镉单晶气相生长方法，它涉及一种硒化镉单晶气相生长方法。本发明目的是要解决现有的生长CdSe晶体的高压布里奇曼法设备复杂，且易发生爆炸，而温梯熔体区熔法与气相提拉法的晶向不可控、光学品质差的问题。一种顶部籽晶导热的硒化镉单晶气相生长方法：一、制备籽晶片；二、装料得到装料密封石英管；三、晶体生长：①、活化；②、生长；四、后处理，在籽晶片表面得到硒化镉单晶体。优点：中远红外波段的透过率达到65％以上。本发明主要用于硒化镉单晶气相生长。
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公开(公告)号：CN107675251A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710900796.X
申请日：2017-09-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高纯硒化镉多晶材料的气相合成方法，它涉及一种硒化镉多晶材料的合成方法。本发明的目的是要解决现有硒化镉合成方法存在反应温度高，耗时长，且生产的硒化镉纯度低的问题。气相合成方法：一、称取单质硒和单质镉；二、气相合成：①、反应区加热；②、冷凝区控温；③、单质硒气化；④、单质镉气化；⑤、气相合成，硒化镉多晶以固态形式沉积，未充分反应的气态单质硒与气态单质镉流至冷凝区并沉积，冷却至室温，得到硒化镉多晶粉体。优点：降低了反应温度，缩短合成时间。提高硒化镉多晶粉体纯度，纯度＞99％。本发明主要用于气相合成高纯硒化镉多晶。
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公开(公告)号：CN105088331B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201510530969.4
申请日：2015-08-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种C‑向生长蓝宝石单晶用小角坩埚，本发明涉及一种用于生长蓝宝石单晶的坩埚，它为了解决现有生长蓝宝石单晶用坩埚产生的W型界面以及蘑菇状界面引发的晶体开裂以及易形成多晶生长的问题。本发明小角坩埚包括坩埚壁和坩埚底，坩埚壁的厚度为8～12毫米，坩埚底呈锥形，坩埚底纵切面的锥角为145°～160°。本发明通过改善液面以及等温线的形状，避免了液面W型和蘑菇状带来的缺点，应用该小角坩埚最终生长出优质蓝宝石单晶，尺寸达到Φ(260‑300)×150‑200mm，晶体不开裂，完整性好，提高制备蓝宝石晶体的质量和完整性。
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公开(公告)号：CN105088331A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510530969.4
申请日：2015-08-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种C-向生长蓝宝石单晶用小角坩埚，本发明涉及一种用于生长蓝宝石单晶的坩埚，它为了解决现有生长蓝宝石单晶用坩埚产生的W型界面以及蘑菇状界面引发的晶体开裂以及易形成多晶生长的问题。本发明小角坩埚包括坩埚壁和坩埚底，坩埚壁的厚度为8～12毫米，坩埚底呈锥形，坩埚底纵切面的锥角为145°～160°。本发明通过改善液面以及等温线的形状，避免了液面W型和蘑菇状带来的缺点，应用该小角坩埚最终生长出优质蓝宝石单晶，尺寸达到Φ(260-300)×150-200mm，晶体不开裂，完整性好，提高制备蓝宝石晶体的质量和完整性。
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