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公开(公告)号：CN116083974A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211559800.8
申请日：2022-12-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D3/12 , C25D7/12 , H01L21/768
Abstract: 一种适用于微电子电路填钴的镀钴添加剂、电镀钴镀液及电镀方法，属于电镀技术领域。具体方案如下：镀钴添加剂，包括抑制剂和润湿剂，所述润湿剂为含硫有机物，所述抑制剂为三苯甲烷类衍生物中的一种或多种的组合，结构式如式Ⅰ所示
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公开(公告)号：CN109428101A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710789843.8
申请日：2017-09-05
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: H01M8/1072 , H01M8/1039 , H01M8/18
Abstract: 本发明涉及一种两性离子交换膜及其制备方法，具体为商品化全氟磺酸膜Nafion(Nafion117、Nafion115或Nafion212等)通过表面引发原子转移自由基聚合(SI-ATRP)反应接枝含有两性离子的甜菜碱类单体(如磺基甜菜碱SMBA等)从而制备一种新型的含有两性官能团的离子交换膜。本发明所得到的两性离子交换膜不但保持了商业Nafion膜优良的稳定性，同时，所制备离子膜中由于两性离子官能团的引入，可以改善商业Nafion膜的选择性。此外，通过控制所用单体种类，可以十分方便地实现对所制备两性离子膜结构和选择性的调控。本发明方法操作过程简单，所用原料易得，易于实现批量化，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115874236B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202211559801.2
申请日：2022-12-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于集成电路填钴的镀钴添加剂、电镀钴镀液及电镀方法，属于电镀技术领域。具体方案如下：镀钴添加剂，包括抑制剂，所述抑制剂为苯并四氮唑类化合物中的一种或多种的组合，结构式如式Ⅰ，式中，R为烷基链、苯基、含其他取代基官能团的苯基或硝基，R1、R2、R3和R4相同或者不同，分别为氢、硝基、烷基中的一种，R5和R6相同或者不同，分别为氢、卤素、酯基、羰基、烷基中的一种，#imgabs0#
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公开(公告)号：CN115142113A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210946393.X
申请日：2022-08-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25F3/22
Abstract: 一种用于镍基合金的电化学抛光液添加剂、抛光液及抛光方法，属于电化学抛光领域，具体方案如下：一种用于镍基合金的电解抛光液添加剂，包括碱性红12、碱性红2或碱性红5。一种用于镍基合金的电解抛光液，包括所述的电解抛光液添加剂。一种镍基合金的表面抛光方法，包括以下步骤：对镍基合金工件表面的进行预处理；将预处理后的镍基合金工件放入电解抛光液中，镍基合金工件作为阳极连接电源的正极，钛网作为阴极连接电源的负极，对镍基合金工件的表面进行电化学抛光处理；清洗抛光后的工件，然后对其冷风干燥处理。本发明所述的抛光液具有效率高、成本低的优点，处理后的工件不仅可以达到镜面的效果，还提高了合金的耐蚀性。
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公开(公告)号：CN115216816A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210982544.7
申请日：2022-08-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于印制电路板盲孔填铜的电镀铜镀液，所述电镀铜镀液由五水硫酸铜、硫酸、卤素离子以及组合添加剂组成，其中：所述组合添加剂包括整平剂、加速剂、抑制剂；所述五水硫酸铜的含量为75g/L，硫酸的含量为240g/L，卤素离子的含量为60mg/L，加速剂的含量为0.5～20mg/L，抑制剂的含量为50～1000mg/L，整平剂的含量为5～500mg/L。该电镀铜镀液使用三苯甲烷类衍生物作为整平剂(均镀剂)，可以提高阴极极化、提升均匀性，实现印制电路板盲孔填充，获得具有较低面铜厚度和较低粗糙度的铜互连线。
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公开(公告)号：CN108695534A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810369682.1
申请日：2018-04-24
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: H01M8/18
CPC classification number: Y02E60/528 , H01M8/188
Abstract: 本发明涉及一种钒电池用两性Nafion离子交换膜及其制备方法。本发明以商业全氟磺酸膜Nafion或Nafion树脂为引发剂，通过原子转移自由基聚合(ATRP)反应在Nafion膜表面或本体接枝聚合不同的阴、阳离子聚合物，以提高Nafion用于全钒液流电池时的离子选择性并保持其电导率。本发明所得到的Nafion两性离子膜在保留Nafion膜优良的质子传导率和化学稳定性的同时，还可以有效改善Nafion膜的离子选择性。此外，通过调控接枝用阴、阳离子聚合单体的各类和比例可以方便的实现对所制备Nafion两性膜结构及性能的调整。本发明操作简单，反应条件温和，产物接枝量可控，方便实施大规模生产，具有很好的商业化前景。
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公开(公告)号：CN115142113B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202210946393.X
申请日：2022-08-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25F3/22
Abstract: 一种用于镍基合金的电化学抛光液添加剂、抛光液及抛光方法，属于电化学抛光领域，具体方案如下：一种用于镍基合金的电解抛光液添加剂，包括碱性红12、碱性红2或碱性红5。一种用于镍基合金的电解抛光液，包括所述的电解抛光液添加剂。一种镍基合金的表面抛光方法，包括以下步骤：对镍基合金工件表面的进行预处理；将预处理后的镍基合金工件放入电解抛光液中，镍基合金工件作为阳极连接电源的正极，钛网作为阴极连接电源的负极，对镍基合金工件的表面进行电化学抛光处理；清洗抛光后的工件，然后对其冷风干燥处理。本发明所述的抛光液具有效率高、成本低的优点，处理后的工件不仅可以达到镜面的效果，还提高了合金的耐蚀性。
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公开(公告)号：CN115874236A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211559801.2
申请日：2022-12-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于集成电路填钴的镀钴添加剂、电镀钴镀液及电镀方法，属于电镀技术领域。具体方案如下：镀钴添加剂，包括抑制剂，所述抑制剂为苯并四氮唑类化合物中的一种或多种的组合，结构式如式Ⅰ，式中，R为烷基链、苯基、含其他取代基官能团的苯基或硝基，R1、R2、R3和R4相同或者不同，分别为氢、硝基、烷基中的一种，R5和R6相同或者不同，分别为氢、卤素、酯基、羰基、烷基中的一种，
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