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公开(公告)号：CN102747345B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210250069.0
申请日：2012-07-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 通过浸镍活化在PCB铜电路表面化学镀镍的方法，本发明涉及印刷电路板的铜电路表面化学镀镍方法。本发明是要解决现有的PCB制备过程中铜电路表面化学镀镍必须采用贵金属钯进行活化所导致的活化液稳定性低、易发生渗镀以及PCB制造成本高的技术问题。方法：一、用硼酸、有机酸或其钠盐、含硫化合物和硫酸镍配制浸镍液；二、PCB板前处理；三、浸镍活化及化学镀镍。本发明的浸镍液中添加了含有C＝S基团的化合物，可以改变铜和镍之间的电位关系，能够在铜表面实现金属镍的快速自发沉积得到催化层。本发明的方法用的浸镍活化法成本低，活化液稳定性高且避免了化学镀镍过程中渗镀现象的发生，可用于PCB铜电路表面的大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN102732862B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210248621.2
申请日：2012-07-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 铜箔上置换镀Ni-S合金阻挡层的方法及该阻挡层的化学钝化方法，本发明涉及铜箔上阻挡层的制备方法及该阻挡层的钝化方法。本发明是要解决现有的铜箔上阻挡层的制备方法复杂，阻挡层耐离子迁移性、耐热性、耐腐蚀性、高温抗氧化性差和抗剥离强度低的技术问题。铜箔上置换镀Ni-S合金阻挡层的方法：一、置换镀镍溶液配制；二、铜箔前处理；三、将铜箔浸入到置换镀镍溶液中，得到镀在铜箔上的Ni-S合金阻挡层。化学钝化方法：将镀有Ni-S合金阻挡层的铜箔浸入钝化溶液中浸泡即可。Ni-S合金中S的原子百分比为0.1％～30％；钝化层厚度为5～30nm。本发明的方法可用于印刷电路板处理。
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公开(公告)号：CN102732862A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210248621.2
申请日：2012-07-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 铜箔上置换镀Ni-S合金阻挡层的方法及该阻挡层的化学钝化方法，本发明涉及铜箔上阻挡层的制备方法及该阻挡层的钝化方法。本发明是要解决现有的铜箔上阻挡层的制备方法复杂，阻挡层耐离子迁移性、耐热性、耐腐蚀性、高温抗氧化性差和抗剥离强度低的技术问题。铜箔上置换镀Ni-S合金阻挡层的方法：一、置换镀镍溶液配制；二、铜箔前处理；三、将铜箔浸入到置换镀镍溶液中，得到镀在铜箔上的Ni-S合金阻挡层。化学钝化方法：将镀有Ni-S合金阻挡层的铜箔浸入钝化溶液中浸泡即可。Ni-S合金中S的原子百分比为0.1％～30％；钝化层厚度为5～30nm。本发明的方法可用于印刷电路板处理。
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公开(公告)号：CN102337527A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110271641.7
申请日：2011-09-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C18/40
Abstract: 高速环保化学镀铜溶液，它涉及化学镀铜溶液。本发明解决了现有的化学镀铜溶液的镀铜速度低的技术问题。本发明的高速环保化学镀铜溶液由硫酸铜、次磷酸钠、盐酸亚氨脲、催化剂、组合配位剂、组合稳定剂和水组成，其中催化剂为含镍、钴、铁的金属盐；组合配位剂由氨二乙酸、二甲基乙内酰脲、酒石酸钾钠组成，其中二甲基乙内酰脲与酒石酸钾钠的质量比为1∶2～3、二甲基乙内酰脲与氨二乙酸的质量比为1∶7～8，组合稳定剂由硫脲和2，2’-联吡啶组成，其中硫脲与2，2’-联吡啶的质量比为1∶5～6。本发明镀液化学沉积速度达到每小时10微米～40微米，可用于在印制电路板孔、陶瓷、塑料等基体的表面进行化学镀铜。
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公开(公告)号：CN102747345A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210250069.0
申请日：2012-07-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 通过浸镍活化在PCB铜电路表面化学镀镍的方法，本发明涉及印刷电路板的铜电路表面化学镀镍方法。本发明是要解决现有的PCB制备过程中铜电路表面化学镀镍必须采用贵金属钯进行活化所导致的活化液稳定性低、易发生渗镀以及PCB制造成本高的技术问题。方法：一、用硼酸、有机酸或其钠盐、含硫化合物和硫酸镍配制浸镍液；二、PCB板前处理；三、浸镍活化及化学镀镍。本发明的浸镍液中添加了含有C＝S基团的化合物，可以改变铜和镍之间的电位关系，能够在铜表面实现金属镍的快速自发沉积得到催化层。本发明的方法用的浸镍活化法成本低，活化液稳定性高且避免了化学镀镍过程中渗镀现象的发生，可用于PCB铜电路表面的大规模工业生产。
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