公开(公告)号：CN101071763B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200710106820.9

申请日：2007-05-10

Applicant: 周星工程股份有限公司

Inventor： 韩政勋 ,  刘真赫 ,  金映绿

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  C23C16/513 ,  C23C16/04 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L21/31608 ,  C23C16/045 ,  C23C16/507 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/76837

Abstract: 一种填充衬底上的缝隙的方法包括：将上面形成有所述缝隙的所述衬底放置在腔室中的基座上；向所述腔室施加源功率以向所述腔室中产生等离子；向所述腔室中供应过程气体；通过向所述基座施加第一偏压功率而向缝隙中填充薄膜，所述第一偏压功率的振幅受到周期性调制；停止供应所述过程气体并切断所述第一偏压功率；和去除所述腔室中的所述等离子。

公开(公告)号：CN100463112C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200410045521.5

申请日：2004-05-28

Applicant: 周星工程股份有限公司

Inventor： 韩政勋 ,  李永锡 ,  郑淳彬 ,  李政范 ,  金哲植 ,  全昌烨 ,  高在亿 ,  金映录 ,  沈成垠 ,  李龙炫 ,  刘真赫 ,  姜大凤

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01J37/32458 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  H01J37/321

Abstract: 一种用于一个半导体装置的设备，其包括：一个具有上部分及下部分之室，所述下部分的体积大于所述上部分的体积；一个位子所述室内的感受器，所述感受器在其上表面具有一个基板；一个将生产气体注入所述室的注入器；一个位于所述室上的线圈组；一个与所述线圈组相连的射频电源；和一个通过所述室的排气口。

公开(公告)号：CN108277478A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810166418.8

申请日：2013-05-28

Applicant: 周星工程股份有限公司

Inventor： 韩政勋 ,  黃喆周 ,  徐承勋 ,  李相敦

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/509 ,  H01L21/205

Abstract: 公开了一种加工基板的装置和方法，其中，所述装置包括：加工腔室；用于支撑至少一个基板的基板支撑体，其中，所述基板支撑体设置在所述加工腔室中，并朝预定方向旋转；与所述基板支撑体相对的腔室盖，所述腔室盖用于覆盖所述加工腔室；以及具有用于将气体分配给所述基板的多个气体分配模块的气体分配器，其中，每个所述气体分配模块连接到所述腔室盖，其中，每个所述气体分配模块包括彼此相对的电源电极和接地电极，在所述电源电极和所述接地电极之间形成等离子体放电空间，并且所述等离子体放电空间与由所述基板支撑体支撑的所述基板的薄膜形成区域不重叠。

公开(公告)号：CN101328580B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200810131848.2

申请日：2008-06-23

Applicant: 周星工程股份有限公司

Inventor： 韩政勋

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/513

Abstract: 本发明涉及一种使用高密度等离子体化学气相沉积来沉积薄膜的方法。根据本发明的所述沉积薄膜的方法包含：将上面形成有间隙的半导体衬底加载到腔室中；在所述腔室中供应工艺气体，且使用高频率源功率和低频率源功率对所述工艺气体进行等离子体化；使用所述经等离子体化的工艺气体填充所述间隙；以及将所述间隙被填充的所述半导体衬底卸载到所述腔室的外部。单独施加所述高频率源功率和所述低频率源功率。因此，可由所述高频率源功率产生低压力下的等离子体，且可由所述低频率源功率产生高密度等离子体。因此，可通过HDPCVD工艺有效地填充半导体衬底的具有高纵横比的间隙。

公开(公告)号：CN1574230A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410045521.5

申请日：2004-05-28

Applicant: 周星工程股份有限公司

Inventor： 韩政勋 ,  李永锡 ,  郑淳彬 ,  李政范 ,  金哲植 ,  全昌烨 ,  高在亿 ,  金映录 ,  沈成垠 ,  李龙炫 ,  刘真赫 ,  姜大凤

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01J37/32458 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  H01J37/321

Abstract: 一种用于一个半导体装置的设备，其包括：一个具有上部分及下部分之室，所述下部分的体积大于所述上部分的体积；一个位于所述室内的感受器，所述感受器在其上表面具有一个基板；一个将生产气体注入所述室的注入器；一个位于所述室上的线圈组；一个与所述线圈组相连的射频电源；和一个通过所述室的排气口。

公开(公告)号：CN104584193B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201380044496.6

申请日：2013-08-23

Applicant: 周星工程股份有限公司

Inventor： 韩政勋 ,  金荣勋 ,  黃喆周

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/50 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 公开了一种用于加工基板的装置和方法，其能实现在基板上均匀地沉积薄膜，并且便于控制所沉积的薄膜的质量，其中，所述装置包括：加工腔室；腔室盖；基板支撑器，用于支撑至少一个基板；源气分配器，用于将源气分配到源气分配区域；反应气分配器，用于将反应气分配到反应气分配区域；以及吹扫气分配器，用于将吹扫气分配到在源气分配区域与反应气分配区域之间形成的吹扫气分配区域，其中，所述吹扫气分配器与所述基板之间的距离小于所述基板与所述源气分配器和所述反应气分配器的每一个之间的距离。

公开(公告)号：CN104094384B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201280063747.0

申请日：2012-12-21

Applicant: 周星工程股份有限公司

Inventor： 许胜会 ,  韩政勋

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68764 ,  B05D3/044 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32752 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法，其分离设置等离子空间与源气体喷射空间，以提高薄膜物质的均匀度，使得容易控制薄膜物质的膜质。本发明的基板处理装置可以包括：工艺腔室；基板支撑部，其可旋转地设置于所述工艺腔室，以支撑多个基板；以及电极部，其设置于所述基板支撑部的上部并具有分离形成的用于向所述基板上喷出等离子的等离子形成空间及用于向所述基板上喷射源气体(Source gas)的源气体喷射空间。

公开(公告)号：CN104094384A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201280063747.0

申请日：2012-12-21

Applicant: 周星工程股份有限公司

Inventor： 许胜会 ,  韩政勋

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68764 ,  B05D3/044 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32752 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法，其分离设置等离子空间与源气体喷射空间，以提高薄膜物质的均匀度，使得容易控制薄膜物质的膜质。本发明的基板处理装置可以包括：工艺腔室；基板支撑部，其可旋转地设置于所述工艺腔室，以支撑多个基板；以及电极部，其设置于所述基板支撑部的上部并具有分离形成的用于向所述基板上喷出等离子的等离子形成空间及用于向所述基板上喷射源气体(Source gas)的源气体喷射空间。

公开(公告)号：CN101071763A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710106820.9

申请日：2007-05-10

Applicant: 周星工程股份有限公司

Inventor： 韩政勋 ,  刘真赫 ,  金映绿

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  C23C16/513 ,  C23C16/04 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L21/31608 ,  C23C16/045 ,  C23C16/507 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/76837

Abstract: 一种填充衬底上的缝隙的方法包括：将上面形成有所述缝隙的所述衬底放置在腔室中的基座上；向所述腔室施加源功率以向所述腔室中产生等离子；向所述腔室中供应过程气体；通过向所述基座施加第一偏压功率而向缝隙中填充薄膜，所述第一偏压功率的振幅受到周期性调制；停止供应所述过程气体并切断所述第一偏压功率；和去除所述腔室中的所述等离子。

公开(公告)号：CN104380435B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201380029010.1

申请日：2013-05-28

Applicant: 周星工程股份有限公司

Inventor： 韩政勋 ,  黃喆周 ,  徐承勋 ,  李相敦

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32532 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/50 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 公开了一种加工基板的装置和方法，其中，所述装置包括：加工腔室；用于支撑至少一个基板的基板支撑体，其中，所述基板支撑体设置在所述加工腔室中，并朝预定方向旋转；与所述基板支撑体相对的腔室盖，所述腔室盖用于覆盖所述加工腔室；以及具有用于将气体分配给所述基板的多个气体分配模块的气体分配器，其中，每个所述气体分配模块连接到所述腔室盖，其中，每个所述气体分配模块包括彼此相对的电源电极和接地电极，在所述电源电极和所述接地电极之间形成等离子体放电空间，并且所述等离子体放电空间与由所述基板支撑体支撑的所述基板的薄膜形成区域不重叠。