公开(公告)号：CN106222630B

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201610685905.6

申请日：2012-12-21

Applicant: 周星工程股份有限公司

Inventor： 许胜会 ,  韩政勋

IPC: C23C16/509 ,  H01J37/32 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法，其分离设置等离子空间与源气体喷射空间，以提高薄膜物质的均匀度，使得容易控制薄膜物质的膜质。本发明的基板处理装置可以包括：工艺腔室；基板支撑部，其可旋转地设置于所述工艺腔室，以支撑多个基板；以及电极部，其设置于所述基板支撑部的上部并具有分离形成的用于向所述基板上喷出等离子的等离子形成空间及用于向所述基板上喷射源气体(Source gas)的源气体喷射空间。

公开(公告)号：CN106222630A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201610685905.6

申请日：2012-12-21

Applicant: 周星工程股份有限公司

Inventor： 许胜会 ,  韩政勋

IPC: C23C16/509 ,  H01J37/32 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/68764 ,  B05D3/044 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32752 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法，其分离设置等离子空间与源气体喷射空间，以提高薄膜物质的均匀度，使得容易控制薄膜物质的膜质。本发明的基板处理装置可以包括：工艺腔室；基板支撑部，其可旋转地设置于所述工艺腔室，以支撑多个基板；以及电极部，其设置于所述基板支撑部的上部并具有分离形成的用于向所述基板上喷出等离子的等离子形成空间及用于向所述基板上喷射源气体(Source gas)的源气体喷射空间。

公开(公告)号：CN104094384B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201280063747.0

申请日：2012-12-21

Applicant: 周星工程股份有限公司

Inventor： 许胜会 ,  韩政勋

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68764 ,  B05D3/044 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32752 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法，其分离设置等离子空间与源气体喷射空间，以提高薄膜物质的均匀度，使得容易控制薄膜物质的膜质。本发明的基板处理装置可以包括：工艺腔室；基板支撑部，其可旋转地设置于所述工艺腔室，以支撑多个基板；以及电极部，其设置于所述基板支撑部的上部并具有分离形成的用于向所述基板上喷出等离子的等离子形成空间及用于向所述基板上喷射源气体(Source gas)的源气体喷射空间。

公开(公告)号：CN104094384A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201280063747.0

申请日：2012-12-21

Applicant: 周星工程股份有限公司

Inventor： 许胜会 ,  韩政勋

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68764 ,  B05D3/044 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32752 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法，其分离设置等离子空间与源气体喷射空间，以提高薄膜物质的均匀度，使得容易控制薄膜物质的膜质。本发明的基板处理装置可以包括：工艺腔室；基板支撑部，其可旋转地设置于所述工艺腔室，以支撑多个基板；以及电极部，其设置于所述基板支撑部的上部并具有分离形成的用于向所述基板上喷出等离子的等离子形成空间及用于向所述基板上喷射源气体(Source gas)的源气体喷射空间。