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公开(公告)号：CN104520988A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201380036940.X
申请日：2013-04-11
申请人： 吉林克斯公司
IPC分类号： H01L23/14 , H01L23/498 , H01L23/00 , H01L25/065
CPC分类号： H01L21/4853 , H01L23/147 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/75744 , H01L2224/7598 , H01L2224/75983 , H01L2224/75987 , H01L2224/81005 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/3511 , H01L2924/014 , H01L2224/16225 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/81 , H01L2924/00014
摘要： 一种覆晶堆叠的方法，其包含：形成(201)一空腔晶圆(301)，其包括多个空腔(303)以及一对转角导轨(305)；放置(203)一直通硅穿孔(TSV)中介片在该空腔晶圆上，该TSV中介片具有被耦合至该TSV中介片的一表面的多个焊接凸块(107)，使得该焊接凸块位于该多个空腔中，而该TSV中介片位于该对转角导轨之间；放置(205)一集成电路(IC)晶粒(109)在该TSV中介片的另一表面上，使得该IC晶粒、该TSV中介片、以及该焊接凸块会形成一已堆叠的中介片单元(113)；从该空腔晶圆处移除(207)该已堆叠的中介片单元；以及将该已堆叠的中介片单元的该焊接凸块粘结(209)至一有机基板(101)，使得该已堆叠的中介片单元与该有机基板会形成覆晶(300)。
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公开(公告)号：CN104520988B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201380036940.X
申请日：2013-04-11
申请人： 吉林克斯公司
IPC分类号： H01L23/14 , H01L23/498 , H01L23/00 , H01L25/065
CPC分类号： H01L21/4853 , H01L23/147 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/75744 , H01L2224/7598 , H01L2224/75983 , H01L2224/75987 , H01L2224/81005 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/3511 , H01L2924/014 , H01L2224/16225 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/81 , H01L2924/00014
摘要： 一种覆晶堆叠的方法，其包含：形成(201)一空腔晶圆(301)，其包括多个空腔(303)以及一对转角导轨(305)；放置(203)一直通硅穿孔(TSV)中介片在该空腔晶圆上，该TSV中介片具有被耦合至该TSV中介片的一表面的多个焊接凸块(107)，使得该焊接凸块位于该多个空腔中，而该TSV中介片位于该对转角导轨之间；放置(205)一集成电路(IC)晶粒(109)在该TSV中介片的另一表面上，使得该IC晶粒、该TSV中介片、以及该焊接凸块会形成一已堆叠的中介片单元(113)；从该空腔晶圆处移除(207)该已堆叠的中介片单元；以及将该已堆叠的中介片单元的该焊接凸块粘结(209)至一有机基板(101)，使得该已堆叠的中介片单元与该有机基板会形成覆晶(300)。
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公开(公告)号：CN105051896A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480012979.2
申请日：2014-03-06
申请人： 吉林克斯公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48 , H05K3/46 , H05K3/28 , H01L21/683 , H01L25/065 , H01L25/18 , H01L21/56 , H01L23/00 , H01L23/31
CPC分类号： H01L21/76802 , H01L21/4857 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/5383 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0655 , H01L25/18 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/81005 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H05K3/28 , H05K3/4682
摘要： 一种用于堆栈式硅晶互连技术(SSIT)产物(200)的无基板插入物(201)，其包含：多个金属化层(109)，该金属化层的至少一最底层含有多个金属节段(111)，其中每一个该多个金属节段(111)是构成于该金属化层(109)的最底层的顶部表面与底部表面之间，并且该金属节段(111)是由该最底层中的介电材料(113)所分隔；以及一介电层(203)，其是经构成于该最底层的底部表面上，其中该介电层(203)含有一或更多开口以供接触于该最底层的多个金属节段(111)。
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公开(公告)号：CN105051896B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201480012979.2
申请日：2014-03-06
申请人： 吉林克斯公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48 , H05K3/46 , H05K3/28 , H01L21/683 , H01L25/065 , H01L25/18 , H01L21/56 , H01L23/00 , H01L23/31
CPC分类号： H01L21/76802 , H01L21/4857 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/5383 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0655 , H01L25/18 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/81005 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H05K3/28 , H05K3/4682
摘要： 一种用于堆栈式硅晶互连技术(SSIT)产物(200)的无基板插入物(201)，其包含：多个金属化层(109)，该金属化层的至少一最底层含有多个金属节段(111)，其中每一个该多个金属节段(111)是构成于该金属化层(109)的最底层的顶部表面与底部表面之间，并且该金属节段(111)是由该最底层中的介电材料(113)所分隔；以及一介电层(203)，其是经构成于该最底层的底部表面上，其中该介电层(203)含有一或更多开口以供接触于该最底层的多个金属节段(111)。
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公开(公告)号：CN105190877A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480014597.3
申请日：2014-03-13
申请人： 吉林克斯公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/66
CPC分类号： H05K1/02 , H01L23/49822 , H01L23/66 , H01L2224/16225
摘要： 一种多层核心有机封装衬底(400)包含：多层核心(409)，其包括至少两个有机核心层(411、413)，其中所述至少两个有机核心层(411、413)中的两个由核心金属层(401)分隔开；第一多个堆积层(207)，其形成于所述多核心层(409)的顶部上；以及第二多个堆积层(207')，其形成于所述多核心层(409)下方。
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