公开(公告)号：CN117238774A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310958162.5

申请日：2023-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邵栋梁 ,  黄钰昇 ,  郑文豪 ,  余振华

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/488 ,  H01L23/528 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种半导体封装包括：包括半导体晶粒的第一封装元件，其中半导体晶粒包括多个导电接垫，其中半导体晶粒被封装胶体环绕；位于半导体晶粒上的适应性内连线结构，其中适应性内连线结构包括多条导电线以及多个第一接合接垫，其中每一导电线实体接触且电性接触相应的导电接垫，其中每一第一接合接垫实体接触且电性接触相应的导电线；以及，包括内连线结构的第二封装元件，其中内连线结构包括多个第二接合接垫，其中每一第二接合接垫直接接合至相应的第一接合接垫，其中每一第二接合接垫自与其电性耦合的对应的导电接垫侧向偏移。

公开(公告)号：CN118151314A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410068378.9

申请日：2024-01-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邵栋梁 ,  黄钰昇 ,  余振华

IPC: G02B6/42

Abstract: 本申请的实施例提供了封装件及其形成方法。形成封装件的方法包括：形成包括光子集成电路管芯的光学引擎，其中光子集成电路管芯包括光学组件，形成包括激光写入波导的适配器，以及将光学引擎、适配器和光纤组装为封装件。光纤通过适配器中的激光写入波导光学耦合到光学组件。

公开(公告)号：CN115910940A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210815323.0

申请日：2022-07-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  邵栋梁 ,  黄钰昇 ,  顾诗章 ,  王垂堂

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明的实施例公开了包括散热结构的封装器件、半导体封装件、封装半导体器件及其形成方法。在实施例中，一种半导体封装件包括半导体管芯，该半导体管芯包括衬底、位于衬底前侧上的前侧互连结构、以及位于与前侧互连结构相对的衬底的背侧上的背侧互连结构；支撑管芯，位于支撑管芯上；位于支撑管芯上的散热结构，散热结构热耦合到半导体管芯和支撑管芯；在与衬底相对的背侧互连结构上的再分布结构，再分布结构电耦合到半导体管芯；以及密封剂，位于再分布结构上并且邻近半导体管芯、支撑管芯和散热结构的侧面。

公开(公告)号：CN119403134A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411417950.4

申请日：2024-10-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邵栋梁 ,  黄钰昇 ,  余振华

IPC: H10B80/00 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60 ,  G02B6/42

Abstract: 封装件包括：中介层，其中，中介层包括第一波导和光学耦合至第一波导的第一反射器；以及光学封装件，附接至中介层，其中，光学封装件包括：第二波导；以及第二反射器，第二反射器光学耦合至第二波导，其中，第二反射器与第一反射器垂直对准。本申请的实施例还涉及形成封装件的方法。

公开(公告)号：CN119403133A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411417948.7

申请日：2024-10-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  邵栋梁 ,  黄钰昇

IPC: H10B80/00 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60 ,  G02B6/42

Abstract: 封装件包括中介层；连接到中介层的光子互连结构，其中，光子互连结构包括：光子组件；光耦合到光子组件的波导；和电耦接到光子组件的电子管芯；以及电连接到中介层的管芯，其中，管芯通过中介层电耦接到光子互连结构。本公开的实施例还提供了形成封装件的方法。

公开(公告)号：CN119179144A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202411209756.7

申请日：2024-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  邵栋梁 ,  林逸然 ,  黄钰昇 ,  蔡宗甫 ,  王朝仁 ,  卢思维

IPC: G02B6/42

Abstract: 提出了光学器件和制造方法，其中利用多层级连接件来向光学器件发送光信号并且从光学器件接收光信号。在实施例中，多层级连接单元从光学器件的外部接收光信号，其中，光信号最初位于多个层中。然后，多层级连接单元将光信号布线至单个层的光学组件中。本申请的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN222337364U

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202420866541.1

申请日：2024-04-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邵栋樑 ,  黄钰昇 ,  余振华

IPC: G02B6/42

Abstract: 提供装置包含：光子集成电路；激光晶粒，包括焊垫；以及第一光纤，包含：第一光纤的第一端，熔接至光子集成电路的表面，其中在第一光纤的第一端与光子集成电路的表面之间存在第一熔融接合；及第一光纤的第二端，熔接至焊垫，其中在第一光纤的第二端与焊垫之间存在第二熔融接合。

公开(公告)号：CN222882872U

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202421576897.8

申请日：2024-07-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邵栋樑 ,  黄钰昇 ,  余振华

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/42

Abstract: 本实用新型提供一种封装体包括光学引擎，附接到封装基底，其中光学引擎包括第一导波；以及导波结构，附接到邻近光学引擎的封装基底，其中导波结构包括在透明区块内的第二导波，其中透明区块的底表面为非平面，其中第二导波沿其长度距底表面为固定距离，其中第二导波光学耦合到第一导波。

公开(公告)号：CN222354102U

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202420971058.X

申请日：2024-05-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邵栋梁 ,  黄钰昇 ,  蔡宗甫 ,  余振华

IPC: G02B6/42

Abstract: 公开光学装置与其制造方法，其贴合光学装置与其他装置如激光晶粒的步骤，早于接合光学装置与激光晶粒至其他装置的步骤。光学装置与激光晶粒分隔的距离不大于约10微米。

公开(公告)号：CN220543895U

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202321964945.6

申请日：2023-07-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邵栋梁 ,  黄钰昇 ,  吴国扬 ,  余振华

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H01L23/467

Abstract: 本实用新型提供一种具有改善的散热效率的封装。所述封装包括：半导体装置；包封体，在侧向上环绕半导体装置；以及散热结构，设置于半导体装置及包封体之上，其中散热结构包括多个柱及在所述多个柱的侧壁之上延伸的多孔层。