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公开(公告)号:CN119179144A
公开(公告)日:2024-12-24
申请号:CN202411209756.7
申请日:2024-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 提出了光学器件和制造方法,其中利用多层级连接件来向光学器件发送光信号并且从光学器件接收光信号。在实施例中,多层级连接单元从光学器件的外部接收光信号,其中,光信号最初位于多个层中。然后,多层级连接单元将光信号布线至单个层的光学组件中。本申请的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号:CN118173645A
公开(公告)日:2024-06-11
申请号:CN202410178582.6
申请日:2024-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/02 , H01L31/0232
Abstract: 方法包括:将光子封装件连接至衬底,其中,光子封装件包括波导和光学耦合至波导的边缘耦合器;将半导体器件邻近光子封装件连接至衬底;在光子封装件的邻近边缘耦合器的第一侧壁上沉积第一保护材料;用密封剂密封光子封装件和半导体器件;穿过密封剂和衬底实施第一锯切工艺,其中,第一锯切工艺暴露第一保护材料;以及去除第一保护材料以暴露光子封装件的第一侧壁。本申请的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
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