半导体器件及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118173645A

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202410178582.6

    申请日:2024-02-09

    Abstract: 方法包括:将光子封装件连接至衬底,其中,光子封装件包括波导和光学耦合至波导的边缘耦合器;将半导体器件邻近光子封装件连接至衬底;在光子封装件的邻近边缘耦合器的第一侧壁上沉积第一保护材料;用密封剂密封光子封装件和半导体器件;穿过密封剂和衬底实施第一锯切工艺,其中,第一锯切工艺暴露第一保护材料;以及去除第一保护材料以暴露光子封装件的第一侧壁。本申请的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。

Patent Agency Ranking