公开(公告)号：CN107026202A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201610915568.5

申请日：2016-10-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈翔裕 ,  吴国铭 ,  林怡君 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28593 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823418 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/26 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66553

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括阱区、第一掺杂区、漏极区、源极区和栅电极。第一导电类型的第一掺杂区位于阱区内的第一侧处。第一导电类型的漏极区位于第一掺杂区内。第一导电类型的源极区位于阱区的第二侧处，其中第二侧与第一侧相对。栅电极位于阱区上方并且位于源极区和漏极区之间。漏极区的表面和源极区的表面限定了沟道，并且源极区的表面与阱区直接接触。本发明的实施例还涉及高压MOSFET、半导体结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN107026202B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201610915568.5

申请日：2016-10-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈翔裕 ,  吴国铭 ,  林怡君 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括阱区、第一掺杂区、漏极区、源极区和栅电极。第一导电类型的第一掺杂区位于阱区内的第一侧处。第一导电类型的漏极区位于第一掺杂区内。第一导电类型的源极区位于阱区的第二侧处，其中第二侧与第一侧相对。栅电极位于阱区上方并且位于源极区和漏极区之间。漏极区的表面和源极区的表面限定了沟道，并且源极区的表面与阱区直接接触。本发明的实施例还涉及高压MOSFET、半导体结构及其制造方法。