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发明公开
具有隔离结构的场效应晶体管及相关方法审中-实审

公开(公告)号：CN118748147A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410017710.9

申请日：2024-01-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭志雄 , 傅士奇 , 陈桂顺 , 陈德宇

IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/10 , B82Y10/00

Abstract: 本公开涉及具有隔离结构的场效应晶体管及相关方法。一种方法包括：在衬底之上形成第一半导体沟道堆叠和第二半导体沟道堆叠；在第一堆叠和第二堆叠之上形成多个牺牲栅极；在形成多个牺牲栅极的同时，在过渡区域之上并邻近多个牺牲栅极形成条结构；在第一半导体沟道堆叠和所述第二半导体沟道堆叠的被多个牺牲栅极和条结构暴露的区域中形成多个源极/漏极开口；在多个源极/漏极开口中形成多个源极/漏极区域；用环绕第一半导体沟道堆叠和第二半导体沟道堆叠的半导体沟道的多个栅极结构替换多个牺牲栅极；在替换多个牺牲栅极的同时，用非活性栅极结构替换条结构；以及用隔离结构替换非活性栅极结构。

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