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公开(公告)号:CN110718247A
公开(公告)日:2020-01-21
申请号:CN201910293177.8
申请日:2019-04-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了存储装置及其操作方法。使用半导体制造工艺制造存储装置。通常,半导体制造工艺中存在的制造变化和/或未对准公差可能导致存储装置与通过半导体制造工艺类似地设计和制造的其它存储装置不同。例如,半导体制造工艺中的不可控随机物理工艺可能在这些存储装置之间引起小的差异。这些小的差异可以使存储装置中的位线在物理上是唯一的,没有两条位线是相同的。因此,半导体制造工艺中的不可控随机物理工艺可能使得从存储装置读取的电子数据以不同的速率沿着位线传播。可以利用位线的这种物理唯一性来实现物理不可复制功能(PUF),从而允许将存储装置与通过半导体制造工艺类似地设计和制造的其它存储装置区分开。
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公开(公告)号:CN110718247B
公开(公告)日:2021-09-14
申请号:CN201910293177.8
申请日:2019-04-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了存储装置及其操作方法。使用半导体制造工艺制造存储装置。通常,半导体制造工艺中存在的制造变化和/或未对准公差可能导致存储装置与通过半导体制造工艺类似地设计和制造的其它存储装置不同。例如,半导体制造工艺中的不可控随机物理工艺可能在这些存储装置之间引起小的差异。这些小的差异可以使存储装置中的位线在物理上是唯一的,没有两条位线是相同的。因此,半导体制造工艺中的不可控随机物理工艺可能使得从存储装置读取的电子数据以不同的速率沿着位线传播。可以利用位线的这种物理唯一性来实现物理不可复制功能(PUF),从而允许将存储装置与通过半导体制造工艺类似地设计和制造的其它存储装置区分开。
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