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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113113433A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202011514528.2
申请日：2020-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及一种具有被背面深沟槽隔离(BDTI)结构包围的光电二极管的图像传感器以及一种相关联的形成方法。在一些实施例中，多个像素区域被放置在图像感测管芯内，并且分别包括光电二极管，该光电二极管被配置为将辐射转换成电信号。光电二极管包括被光电二极管掺杂层包围的第一掺杂类型的光电二极管掺杂柱，该光电二极管掺杂层具有不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型。BDTI结构被放置在相邻像素区域之间并且从图像感测管芯的背面延伸到光电二极管掺杂层内的位置。BDTI结构包括第二掺杂类型的掺杂衬垫和介电填充层。掺杂衬垫给介电填充层的侧壁表面加衬。
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公开(公告)号：CN114937734A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202110698170.1
申请日：2021-06-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种处理工具，其包括晶片卡盘，所述晶片卡盘设置在加热板腔室内且具有被配置成固持半导体晶片的上表面。加热元件设置在所述晶片卡盘内，且被配置成提高所述晶片卡盘的温度。马达耦合到所述晶片卡盘，且被配置成使所述晶片卡盘围绕延伸穿过所述晶片卡盘的所述上表面的旋转轴线旋转。所述处理工具还包括控制电路系统，所述控制电路系统耦合到所述马达，且被配置成在所述晶片卡盘的所述温度被提高的同时操作所述马达来使所述晶片卡盘旋转，以在所述半导体晶片上由溶胶‑凝胶溶液层形成压电层。
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公开(公告)号：CN112441552A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010657012.7
申请日：2020-07-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种包括梳状结构的微机电系统(MEMS)梳状致动器。所述梳状结构包括：支撑层，具有第一材料；以及多个突起物，在第一方向上远离支撑层的第一表面延伸。所述多个突起物也由第一材料制成。所述多个突起物沿与支撑层的第一表面平行的第二方向分隔开。所述微机电系统梳状致动器还可包括介电衬垫结构，介电衬垫结构连续地且完全地覆盖支撑层的第一表面及所述多个突起物的多个外表面。所述介电衬垫结构包括连续地连接所述多个突起物中的至少两个突起物的最顶表面的连接部分。
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公开(公告)号：CN112441552B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202010657012.7
申请日：2020-07-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种包括梳状结构的微机电系统(MEMS)梳状致动器。所述梳状结构包括：支撑层，具有第一材料；以及多个突起物，在第一方向上远离支撑层的第一表面延伸。所述多个突起物也由第一材料制成。所述多个突起物沿与支撑层的第一表面平行的第二方向分隔开。所述微机电系统梳状致动器还可包括介电衬垫结构，介电衬垫结构连续地且完全地覆盖支撑层的第一表面及所述多个突起物的多个外表面。所述介电衬垫结构包括连续地连接所述多个突起物中的至少两个突起物的最顶表面的连接部分。
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公开(公告)号：CN111128791A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201910462174.2
申请日：2019-05-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体制作工具及在半导体工件上形成层的方法。所述半导体制作工具包括具有第一周围环境的第一处理区及具有第二周围环境的第二处理区，所述第一处理区与所述第二处理区设置在处理室内部的不同位置处。在第一处理区及第二处理区中分别设置有第一排出口及第二排出口。第一排出管道将第一排出口耦合到第一单独排放输出。第二排出管道将第二排出口耦合到第二单独排放输出，其中第二排出管道与第一排出管道分隔开。第一可调节流体控制元件对第一周围环境进行控制。第二可调节流体控制元件对第二周围环境进行控制，其中第一可调节流体控制元件与第二可调节流体控制元件能够独立地调节。
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