公开(公告)号：CN109423616B

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN201810643463.8

申请日：2018-06-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何明杰 ,  杨博文 ,  罗司宪 ,  曾顺良 ,  郑文正 ,  锺承芳 ,  薛家麟 ,  庄国彬

IPC: C23C14/35 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明揭露一种可调磁体、沉积腔室及用于改变沉积腔室中磁场分布的方法。在一实施例中揭露了一种用于调整沉积腔室中磁场分布的方法。此方法包含以下操作：提供一靶材磁场分布。移除沉积腔室中的多个第一固定磁体。用多个第二磁体各别替换多个第一固定磁体的每一个。执行以下操作中的至少一个：调整多个第二磁体中的至少一个的一位置，以及调整多个第二磁体中的至少一个的一尺寸。在沉积腔室中量测一磁场分布，并且将在沉积腔室中量测的磁场分布和靶材磁场分布进行比较。

公开(公告)号：CN109423616A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810643463.8

申请日：2018-06-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何明杰 ,  杨博文 ,  罗司宪 ,  曾顺良 ,  郑文正 ,  锺承芳 ,  薛家麟 ,  庄国彬

IPC: C23C14/35 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明揭露一种可调磁体、沉积腔室及用于改变沉积腔室中磁场分布的方法。在一实施例中揭露了一种用于调整沉积腔室中磁场分布的方法。此方法包含以下操作：提供一靶材磁场分布。移除沉积腔室中的多个第一固定磁体。用多个第二磁体各别替换多个第一固定磁体的每一个。执行以下操作中的至少一个：调整多个第二磁体中的至少一个的一位置，以及调整多个第二磁体中的至少一个的一尺寸。在沉积腔室中量测一磁场分布，并且将在沉积腔室中量测的磁场分布和靶材磁场分布进行比较。

公开(公告)号：CN115513199A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210555757.1

申请日：2022-05-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗司宪 ,  刘哲宏 ,  蔡子中

IPC: H01L27/01 ,  H01L27/13 ,  H01L49/02

Abstract: 本揭示案各种实施例是针对一种集成晶片与其形成的方法。集成晶片包括基板以及覆于基板上的电阻器。电阻器包括第一金属氮化物结构、与第一金属氮化物结构间隔开的第二金属氮化物结构、以及配置于第一金属氮化物结构与第二金属氮化物结构之间的金属结构。集成晶片还包括第一介电结构，配置在基板及电阻器上方。