公开(公告)号：CN114724973A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202110541701.6

申请日：2021-05-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宇庭 ,  程仲良 ,  郑文正 ,  刘哲宏 ,  沈宇成 ,  倪其聪

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C23C14/56

Abstract: 本发明提供一种用于制造半导体器件的装置，所述装置可包含腔室、位于腔室中的夹盘以及与夹盘物理连接的偏置电源。装置可包含位于夹盘和偏置电源上方的靶材组件和位于靶材组件上方的磁控管总成。磁控管总成可包含多个外部磁控管和多个内部磁控管，且多个外部磁控管中的每一邻近磁控管之间的间距可与多个内部磁控管中的每一邻近磁控管之间的间距不同。

公开(公告)号：CN115513199A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210555757.1

申请日：2022-05-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗司宪 ,  刘哲宏 ,  蔡子中

IPC: H01L27/01 ,  H01L27/13 ,  H01L49/02

Abstract: 本揭示案各种实施例是针对一种集成晶片与其形成的方法。集成晶片包括基板以及覆于基板上的电阻器。电阻器包括第一金属氮化物结构、与第一金属氮化物结构间隔开的第二金属氮化物结构、以及配置于第一金属氮化物结构与第二金属氮化物结构之间的金属结构。集成晶片还包括第一介电结构，配置在基板及电阻器上方。