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公开(公告)号：CN106024580B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201510735448.2
申请日：2015-11-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于在化学机械抛光(CMP)工艺之后清洗半导体晶圆的方法。该方法包括将半导体晶圆提供至清洗模块中。该方法还包括通过使清洗刷组件旋转来清洗半导体晶圆。该方法也包括施加搅拌的清洗液以清洗清洗刷组件。本发明还提供一种在半导体制造加工的CMP工艺中清洗晶圆的系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106024580A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201510735448.2
申请日：2015-11-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于在化学机械抛光(CMP)工艺之后清洗半导体晶圆的方法。该方法包括将半导体晶圆提供至清洗模块中。该方法还包括通过使清洗刷组件旋转来清洗半导体晶圆。该方法也包括施加搅拌的清洗液以清洗清洗刷组件。本发明还提供一种在半导体制造加工的CMP工艺中清洗晶圆的系统。
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公开(公告)号：CN111185845A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911021329.5
申请日：2019-10-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/005 , B24B49/00 , B24B53/017 , B24B49/12 , H01L21/67
Abstract: 一种用于研磨基板的设备、用于操作研磨系统的方法及用于研磨制程的研磨系统。本揭示案的实施例描述一种用以在研磨制程期间侦测研磨垫轮廓并基于该侦测到的轮廓来调整研磨制程的设备及方法。设备可包括经配置以研磨基板的研磨垫、经配置以保持基板抵靠研磨垫的基板载体，以及经配置以侦测研磨垫的轮廓的侦测模块。侦测模块可包括经配置以量测研磨垫上的一或多个区域的厚度的探针以及经配置以支撑探针的横梁，其中探针可进一步经配置以沿着横梁移动。
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公开(公告)号：CN119952602A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510388664.8
申请日：2019-10-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/005 , B24B49/00 , B24B53/017 , B24B49/12 , H01L21/67
Abstract: 本揭示案的实施例描述一种用于操作研磨系统的方法，包括决定在研磨制程期间研磨系统的研磨垫的一或多个区域的轮廓。比较轮廓与参考轮廓，其中参考轮廓是研磨垫的模拟轮廓，其中比较轮廓与参考轮廓包括比较轮廓与通过数学过程、机器学习过程、大数据挖掘过程或神经网络过程所产生的模拟轮廓括。基于比较来调整研磨制程的一或多个参数。
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公开(公告)号：CN109423616B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201810643463.8
申请日：2018-06-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明揭露一种可调磁体、沉积腔室及用于改变沉积腔室中磁场分布的方法。在一实施例中揭露了一种用于调整沉积腔室中磁场分布的方法。此方法包含以下操作：提供一靶材磁场分布。移除沉积腔室中的多个第一固定磁体。用多个第二磁体各别替换多个第一固定磁体的每一个。执行以下操作中的至少一个：调整多个第二磁体中的至少一个的一位置，以及调整多个第二磁体中的至少一个的一尺寸。在沉积腔室中量测一磁场分布，并且将在沉积腔室中量测的磁场分布和靶材磁场分布进行比较。
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公开(公告)号：CN109423616A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810643463.8
申请日：2018-06-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明揭露一种可调磁体、沉积腔室及用于改变沉积腔室中磁场分布的方法。在一实施例中揭露了一种用于调整沉积腔室中磁场分布的方法。此方法包含以下操作：提供一靶材磁场分布。移除沉积腔室中的多个第一固定磁体。用多个第二磁体各别替换多个第一固定磁体的每一个。执行以下操作中的至少一个：调整多个第二磁体中的至少一个的一位置，以及调整多个第二磁体中的至少一个的一尺寸。在沉积腔室中量测一磁场分布，并且将在沉积腔室中量测的磁场分布和靶材磁场分布进行比较。
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