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公开(公告)号：CN109423616B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201810643463.8
申请日：2018-06-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明揭露一种可调磁体、沉积腔室及用于改变沉积腔室中磁场分布的方法。在一实施例中揭露了一种用于调整沉积腔室中磁场分布的方法。此方法包含以下操作：提供一靶材磁场分布。移除沉积腔室中的多个第一固定磁体。用多个第二磁体各别替换多个第一固定磁体的每一个。执行以下操作中的至少一个：调整多个第二磁体中的至少一个的一位置，以及调整多个第二磁体中的至少一个的一尺寸。在沉积腔室中量测一磁场分布，并且将在沉积腔室中量测的磁场分布和靶材磁场分布进行比较。
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公开(公告)号：CN109423616A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810643463.8
申请日：2018-06-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明揭露一种可调磁体、沉积腔室及用于改变沉积腔室中磁场分布的方法。在一实施例中揭露了一种用于调整沉积腔室中磁场分布的方法。此方法包含以下操作：提供一靶材磁场分布。移除沉积腔室中的多个第一固定磁体。用多个第二磁体各别替换多个第一固定磁体的每一个。执行以下操作中的至少一个：调整多个第二磁体中的至少一个的一位置，以及调整多个第二磁体中的至少一个的一尺寸。在沉积腔室中量测一磁场分布，并且将在沉积腔室中量测的磁场分布和靶材磁场分布进行比较。
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公开(公告)号：CN113265632A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110191228.3
申请日：2021-02-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种溅镀标靶部件、溅镀设备及溅镀方法，该标靶部件包括：一背板，其具有形成于其中的一孔隙；及一标靶，其粘结至该背板的一前表面。该孔隙设置于该背板上，以使得该孔隙的一第一末端由该标靶的一部分密封，该部分由一溅镀标靶侵蚀轮廓预测为在一对应的溅镀制程期间具有一最高蚀刻速率。
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