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发明公开
用于多栅极器件的隔离结构审中-实审

公开(公告)号：CN119300403A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202410141338.2

申请日：2024-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡雅怡 , 白智远 , 陈博弘 , 陈汉伟 , 林育贤

IPC: H10D30/60 , H10D30/01 , H10D62/10 , H10D64/27

Abstract: 本申请提供了用于多栅极器件的隔离结构。根据本公开的半导体结构包括：衬底；第一基底鳍和第二基底鳍，从衬底产生；隔离结构，设置在第一基底鳍和第二基底鳍之间；第一多个沟道构件，设置在第一基底鳍之上；第二多个沟道构件，设置在第二基底鳍之上；区域隔离特征，延伸进入衬底；第一栅极结构，环绕第一多个沟道构件中的每一个；第二栅极结构，环绕第二多个沟道构件中的每一个；第一栅极切割特征，延伸穿过第一栅极结构并进入隔离结构；和第二栅极切割特征，延伸所述第二栅极结构并进入隔离结构。第一栅极切割特征和第二栅极切割特征中的每一个与区域隔离特征间隔开。

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