公开(公告)号：CN102956704B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201210084622.8

申请日：2012-03-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈吉智 ,  田昆玄 ,  柳瑞兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7809 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734

Abstract: MOSFET包括半导体衬底，具有：顶面；第一导电类型的体区，位于所述半导体衬底中；以及双扩散区DDD区，具有低于体区的底面的顶面。DDD区为第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。MOSFET进一步包括：栅极氧化物，和通过栅极氧化物与体区隔离开的栅电极。栅极氧化物的一部分和栅电极的一部分低于体区的顶面。

公开(公告)号：CN102956704A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210084622.8

申请日：2012-03-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈吉智 ,  田昆玄 ,  柳瑞兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7809 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734

Abstract: MOSFET包括半导体衬底，具有：顶面；第一导电类型的体区，位于所述半导体衬底中；以及双扩散区DDD区，具有低于体区的底面的顶面。DDD区为第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。MOSFET进一步包括：栅极氧化物，和通过栅极氧化物与体区隔离开的栅电极。栅极氧化物的一部分和栅电极的一部分低于体区的顶面。