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公开(公告)号：CN114758951A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110806779.6
申请日：2021-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L27/146
Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件、蚀刻系统及用于回蚀刻的方法。工件定位在工件支撑件上，该工件支撑件包括多个温度控制区。通过测量工件上多个位置处的多个蚀刻前表面高度或厚度来确定蚀刻前表面形貌。多个位置对应于工件支撑件上的多个温度控制区。基于所测量的多个蚀刻前表面高度或厚度，加热或冷却温度控制区域中的至少第一区域，使得第一区域具有与温度控制第二区域的第二温度不同的第一温度。在第一区域具有与温度控制区域的第二区域的第二温度不同的第一温度的同时执行干蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113594353B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202110804095.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 磁隧道结器件包括：柱结构，从底部到顶部包括底部电极和磁隧道结结构；顶部电极，位于磁隧道结结构上面；以及介电金属氧化物层，从柱结构的侧壁延伸至顶部电极的侧壁。磁隧道结结构包含包括第一铁磁材料的参考磁化层、隧道阻挡层和包括第二铁磁材料的自由磁化层。顶部电极包括包含非磁性金属元素的金属材料。可以通过在聚焦离子束蚀刻工艺之后执行氧化残留金属膜的氧化工艺来形成介电金属氧化物层，并且从柱结构的表面消除导电路径。本发明的实施例还涉及磁隧道结器件的形成方法。
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公开(公告)号：CN113594353A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110804095.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 磁隧道结器件包括：柱结构，从底部到顶部包括底部电极和磁隧道结结构；顶部电极，位于磁隧道结结构上面；以及介电金属氧化物层，从柱结构的侧壁延伸至顶部电极的侧壁。磁隧道结结构包含包括第一铁磁材料的参考磁化层、隧道阻挡层和包括第二铁磁材料的自由磁化层。顶部电极包括包含非磁性金属元素的金属材料。可以通过在聚焦离子束蚀刻工艺之后执行氧化残留金属膜的氧化工艺来形成介电金属氧化物层，并且从柱结构的表面消除导电路径。本发明的实施例还涉及磁隧道结器件的形成方法。
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公开(公告)号：CN113206189A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202011237208.7
申请日：2020-11-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种存储器器件、磁性隧道结存储器器件及其形成方法。顶部电极与硬掩模部分的柱堆叠形成于含有连续参考磁化层、连续非磁性隧道阻挡层以及连续自由磁化层的层堆叠上方。可沉积且各向异性地刻蚀连续介电衬里，以形成内介电间隔件。可各向异性地刻蚀连续自由磁化层、连续非磁性隧道阻挡层以及连续参考磁化层，以形成作为磁性隧道结的相应参考磁化层、相应非磁性隧道阻挡层以及相应自由磁化层的垂直堆叠。内介电间隔件防止硬掩模部分的金属材料在磁性隧道结的侧壁上重新沉积。可去除硬掩模部分，且金属单元接触结构可形成于每一顶部电极的顶部上。
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公开(公告)号：CN113809230A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110157630.X
申请日：2021-02-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的各种实施例涉及形成存储器单元的方法。在一些实施例中，将存储器膜沉积在衬底上方，该存储器膜包括底部电极层、顶部电极层以及在顶部电极层与底部电极层之间的数据存储膜。在存储器膜上方沉积硬掩模膜，该硬掩模膜包括导电硬掩模层。图案化顶部电极层和硬掩模膜，以分别形成顶部电极和位于顶部电极上方的硬掩模。执行剪切工艺以减小硬掩模的侧壁与硬掩模的底面之间的侧壁角度。在剪切工艺后，在硬掩模就位的情况下将蚀刻执行到数据存储膜内，以形成位于顶部电极下方的数据存储结构。本发明的实施例还涉及一种集成电路。
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