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公开(公告)号：CN114550790A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210022141.8
申请日：2022-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及控制PCRAM装置的方法及执行该方法的控制器。本发明各种实施例提供用于配置相变随机存取存储器PCRAM结构、例如在单级单元SLC模式或多级单元MLC模式中操作的PCRAM的方法。本发明各种实施例可支持PCRAM结构在SLC模式中操作以达成较低功率且在MLC模式中操作以达成较低可变性。本发明各种实施例可至少部分地基于神经网络层的容错度而支持PCRAM结构在SLC模式或MLC模式中操作。
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公开(公告)号：CN114974355A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210065633.5
申请日：2022-01-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 本公开提供一种控制电路、存储器系统及控制方法。控制电路用以控制存储器阵列的多个存储单元。控制电路包括程式化控制器。程式化控制器经组态以根据数据型态的第一比特的容许误差，程式化存储单元的第一电气特性分布以及第二电气特性分布。其中第一电气特性分布及第二电气特性分布之间的第一重迭面积小于第一预设值。
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公开(公告)号：CN114627951A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110592223.1
申请日：2021-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 柯文升
Abstract: 本发明提供一种存储器装置和一种校正存储器装置中的错误的方法。存储器装置控制器包含存储阵列、连结断路器阵列、写入控制器、验证电路以及控制器。存储阵列包含多个存储单元。连结断路器阵列包含多个连结断路器行。写入控制器配置成将编程电压施加到存储阵列。验证电路配置成施加验证电压以验证存储阵列中的存储单元是否处于明确状态。控制器配置成在存储阵列中的存储单元处于模糊状态时启用除存储阵列外的一个或多个连结断路器行以调整存储阵列的输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116266462A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202310100702.6
申请日：2023-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/16
Abstract: 公开一种确定存储在存储器电路的位的位状态的方法及存储器电路。在一些实施例中，存储器电路包括被配置成对位进行存储的存储单元。参考线被配置成接收参考信号且数据线被配置成接收数据信号。数据线被配置成选择性地耦合到存储单元。充电电压选择单元被配置成响应于选择信号处于第一选择状态而对参考线及数据线进行充电，并且响应于选择信号处于第二选择状态而对参考线及数据线进行放电。感测放大器被配置成将数据信号与参考信号进行比较，以感测由存储单元存储的位的位状态。
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公开(公告)号：CN114661267A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111197712.3
申请日：2021-10-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F7/58
Abstract: 本揭露引入一种随机数产生器，包括：控制电路、振荡电路、动态标头电路、振荡检测电路以及锁存器电路。控制电路扫描多个配置当中的偏置控制信号的配置。动态标头电路基于偏置控制信号的配置而产生偏置电压。振荡电路基于偏置电压而产生振荡信号。振荡检测电路检测振荡信号的起始，且输出锁定信号。锁存器电路根据触发信号锁存振荡信号以输出随机数，其中触发信号在锁定信号被输出之后被确证，且偏置控制信号的配置在锁定信号被输出之后被锁定。还引入一种用于产生随机数的方法和随机数产生器的操作方法。
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公开(公告)号：CN219716477U
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202320220092.9
申请日：2023-02-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/4091 , G11C11/40
Abstract: 介绍一种包括存储器阵列及预充电选择电路的存储器装置。存储器阵列包括耦合至多条位元线及多条字元线的多个存储单元，其中所述多条字元线被配置成接收输入向量。预充电选择电路被配置成根据输入向量的值选择性地对所选择的位元线进行预充电。预充电选择电路被配置成判断输入向量的值是否小于预定义临限值，且因应于确定输入向量的值小于预定义临限值而产生栅控预充电信号以跳过对所选择的位元线进行预充电。
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公开(公告)号：CN220121493U
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202221716508.8
申请日：2022-07-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/4063 , G06F3/06
Abstract: 本实用新型提供一种内存器与集成电路。
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公开(公告)号：CN218768750U
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202221764807.9
申请日：2022-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/16
Abstract: 本实用新型提供一种调整感测电流的电路及其内存组件。电路包括感测放大器、第一箝位电路、第二箝位电路以及回馈电路。第一箝位电路包括并联耦接于感测放大器与内存阵列之间的第一箝位分支。第二箝位电路包括并联耦接于感测放大器与参考阵列之间的第二箝位分支。回馈电路被配置成因应于由感测放大器输出的输出数据而选择性地对第一箝位分支中的一或多者或者第二箝位分支中的一或多者进行启用或禁用。
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