公开(公告)号：CN108122754B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201711204403.8

申请日：2017-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  刘致为

Inventor： 吕芳谅 ,  翁翊轩 ,  林诗雅 ,  刘致为 ,  潘正圣

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/336

Abstract: 制造半导体元件的方法包含形成具有第一元素及第二元素于半导体基材上的合金半导体材料层；形成遮罩于合金半导体材料层上，以提供合金半导体材料层的屏蔽部分及未屏蔽部分；以来自辐射源的辐射照射未被遮罩覆盖的合金半导体材料层的未屏蔽部分，以转化合金半导体材料层，致使合金半导体材料层的未屏蔽部分的表面区域具有比合金半导体材料层的未屏蔽部分的内部区域高的第二元素的浓度，其中表面区域覆着内部区域。

公开(公告)号：CN108122754A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711204403.8

申请日：2017-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  刘致为

Inventor： 吕芳谅 ,  翁翊轩 ,  林诗雅 ,  刘致为 ,  潘正圣

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/66795 ,  H01L21/3245

Abstract: 制造半导体元件的方法包含形成具有第一元素及第二元素于半导体基材上的合金半导体材料层；形成遮罩于合金半导体材料层上，以提供合金半导体材料层的屏蔽部分及未屏蔽部分；以来自辐射源的辐射照射未被遮罩覆盖的合金半导体材料层的未屏蔽部分，以转化合金半导体材料层，致使合金半导体材料层的未屏蔽部分的表面区域具有比合金半导体材料层的未屏蔽部分的内部区域高的第二元素的浓度，其中表面区域覆着内部区域。

公开(公告)号：CN115831873A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202210657728.6

申请日：2022-06-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林诗雅 ,  杜建德 ,  蔡仲恩 ,  刘致为

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括栅极结构、n型源极/漏极部件、p型源极/漏极部件、NFET沟道和PFET沟道。栅极结构在衬底上方。n型源极/漏极部件分别位于栅极结构的相对的第一侧和第二侧处。p型源极/漏极部件分别位于栅极结构的相对的第三侧和第四侧处。NFET沟道在栅极结构内延伸并且连接n型源极/漏极部件。PFET沟道在栅极结构内延伸并且连接p型源极/漏极部件。NFET沟道和PFET沟道由栅极结构垂直间隔开。

公开(公告)号：CN114530484A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202110346601.8

申请日：2021-03-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 摩尔·沙哈吉·B ,  李承翰 ,  张世杰 ,  林诗雅 ,  蔡仲恩 ,  刘致为

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/161 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本揭露描述了一种半导体装置及其制作方法，半导体装置包括基板、该基板上的缓冲层及缓冲层上的堆叠的鳍式结构。缓冲层可以包括锗，且堆叠的鳍式结构可以包括具有锗及锡的半导体层。半导体装置进一步包括围绕半导体层的一部分的栅极结构及在缓冲层上并与半导体层接触的磊晶结构。磊晶结构包括锗及锡。