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公开(公告)号：CN1591247A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410058348.2
申请日：2004-08-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05B17/00
CPC classification number: G05B19/41865 , G05B2219/32191 , Y02P90/18 , Y02P90/20 , Y02P90/22
Abstract: 一种协调管制界限与机台效能的方法，替控制图定义相关的图片属性，其包括节点类型(Node Type)、管制方法(Control Method)以及制程类别(Process Catalog)，然后将图片属性与所有产生的控制图产生关联。接着，根据图片属性决定其相应控制图的管制界限，并且根据所取得的管制界限，对原先设定的管制界限进行修正。
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公开(公告)号：CN1295578C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200410058348.2
申请日：2004-08-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05B17/00
CPC classification number: G05B19/41865 , G05B2219/32191 , Y02P90/18 , Y02P90/20 , Y02P90/22
Abstract: 一种协调管制界限与机台效能的方法，替控制图定义相关的图片属性，其包括节点类型(Node Type)、管制方法(Control Method)以及制程类别(Process Catalog)，然后将图片属性与所有产生的控制图产生关联。接着，根据图片属性决定其相应控制图的管制界限，并且根据所取得的管制界限，对原先设定的管制界限进行修正。
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公开(公告)号：CN102569194A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110329737.4
申请日：2011-10-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/56 , H01L27/146 , H01L23/00 , H01L23/31
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L21/561 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L27/14687 , H01L2224/13
Abstract: 一种方法包括进行在封装结构上的第一芯片切割，并且包括形成在封装结构的沟槽中延伸的第一金属引线和第二金属引线，其中，所述第一金属引线和所述第二金属引线与在封装结构的装置中的接触焊盘的侧边缘接触。第一金属引线和第二金属引线通过连接金属部互相连接，进行预切割以切割连接金属部来分离第一金属引线和第二金属引线，其中，在预切割以后，连接金属部的剩余部具有边缘。在第一金属引线和第二金属引线的上方形成电介质涂层。进行芯片切割以将封装结构切割开，从而，将第一芯片和第二芯片分成分离件，在每个生成的分离件中，通过第一电介质涂层的剩余部来覆盖连接金属部的剩余部的边缘。
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公开(公告)号：CN102569194B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201110329737.4
申请日：2011-10-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/56 , H01L27/146 , H01L23/00 , H01L23/31
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L21/561 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L27/14687 , H01L2224/13
Abstract: 一种方法包括进行在封装结构上的第一芯片切割，并且包括形成在封装结构的沟槽中延伸的第一金属引线和第二金属引线，其中，所述第一金属引线和所述第二金属引线与在封装结构的装置中的接触焊盘的侧边缘接触。第一金属引线和第二金属引线通过连接金属部互相连接，进行预切割以切割连接金属部来分离第一金属引线和第二金属引线，其中，在预切割以后，连接金属部的剩余部具有边缘。在第一金属引线和第二金属引线的上方形成电介质涂层。进行芯片切割以将封装结构切割开，从而，将第一芯片和第二芯片分成分离件，在每个生成的分离件中，通过第一电介质涂层的剩余部来覆盖连接金属部的剩余部的边缘。
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