公开(公告)号：CN111128719A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911042983.4

申请日：2019-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李奕璋 ,  林建宏 ,  陈志壕 ,  吴英豪 ,  陈文彦 ,  曾世华 ,  孙书辉

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213

Abstract: 本公开涉及图案形成方法和用于制造半导体器件的方法。在图案形成方法中，在要被图案化的目标层上方形成光致抗蚀剂图案。在光致抗蚀剂图案上形成延伸材料层。通过至少使用延伸材料层作为蚀刻掩模来图案化目标层。

公开(公告)号：CN111128719B

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN201911042983.4

申请日：2019-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李奕璋 ,  林建宏 ,  陈志壕 ,  吴英豪 ,  陈文彦 ,  曾世华 ,  孙书辉

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213

Abstract: 本公开涉及图案形成方法和用于制造半导体器件的方法。在图案形成方法中，在要被图案化的目标层上方形成光致抗蚀剂图案。在光致抗蚀剂图案上形成延伸材料层。通过至少使用延伸材料层作为蚀刻掩模来图案化目标层。

公开(公告)号：CN222690680U

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202420869109.8

申请日：2024-04-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏瑞雯 ,  曾世华 ,  吕志弘 ,  巫柏奇

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体装置，为了减少蚀刻开口中的应力集中区的发生率，沉积了更薄的聚酰亚胺层以最小化其中所形成的间隙，并增加显示层的表面的角度。以这种方式减小应力，降低了后来形成的金属接触开裂的发生率，提高了如此制造的半导体装置的整体合格率。