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公开(公告)号：CN110828369A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201811185781.0
申请日：2018-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种制造介电层的方法包括在基材上方形成第一介电膜。在第一介电膜上方沉积第一成孔剂。在第一介电膜以及第一成孔剂上形成第二介电膜。第二介电膜与第一介电膜以及第一成孔剂接触。移除第一成孔剂。
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