公开(公告)号：CN110875420B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN201910795814.1

申请日：2019-08-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈季丞 ,  黄伟立 ,  吴俊逸 ,  巫洸毅 ,  黄宏麟 ,  苏智宏 ,  古进誉 ,  陈承先

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/10

Abstract: 本公开一些实施例提供了一种形成半导体装置的结构的方法。此方法包括于半导体基板的上方形成钝化层。此方法还包括于钝化层的上方形成磁性元件。此方法还包括于磁性元件以及钝化层的上方形成隔离层，其中隔离层包括一高分子材料。再者，此方法包括于隔离层的上方形成导线，且导线延伸跨过磁性元件。

公开(公告)号：CN110875420A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910795814.1

申请日：2019-08-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈季丞 ,  黄伟立 ,  吴俊逸 ,  巫洸毅 ,  黄宏麟 ,  苏智宏 ,  古进誉 ,  陈承先

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: 本公开一些实施例提供了一种形成半导体装置的结构的方法。此方法包括于半导体基板的上方形成钝化层。此方法还包括于钝化层的上方形成磁性元件。此方法还包括于磁性元件以及钝化层的上方形成隔离层，其中隔离层包括一高分子材料。再者，此方法包括于隔离层的上方形成导线，且导线延伸跨过磁性元件。

公开(公告)号：CN109216327A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201710723462.X

申请日：2017-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 古进誉 ,  周建志 ,  陈承先 ,  黄宏麟 ,  陈季丞 ,  巫洸毅

IPC: H01L23/64

Abstract: 一种半导体装置包括电感器结构，且所述电感器结构位于衬底上且包括第一金属层、磁性堆叠、聚合物层以及第二金属层。所述第一金属层位于所述衬底之上。所述磁性堆叠位于所述第一金属层之上且具有实质上Z字形的侧壁。所述聚合物层位于所述第一金属层之上且包封所述磁性堆叠。所述第二金属层位于所述聚合物层之上。