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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116524977A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310204420.0
申请日：2023-03-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C16/10 , G11C16/08 , G11C16/24 , G11C16/04 , G11C7/10 , G11C7/12 , G11C8/08 , G06F15/78 , G06F7/544
Abstract: 提供了存储器系统和存储器阵列的操作方法。用于执行存储器中计算(CiM)操作的存储器系统包括存储器阵列和处理电路。存储器阵列包括多个存储器单元。处理电路耦合到存储器阵列，并且包括编程电路和控制电路。编程电路耦合到存储器阵列，并且被配置为执行用于编程存储器单元的电特性的写入操作。控制电路耦合到编程电路，并且被配置为：接收对应于多个权重值的多个权重数据；以及控制由编程电路执行的写入操作，从而按照权重值的序列顺序对存储器单元的电特性进行编程。
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公开(公告)号：CN120066451A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510059743.4
申请日：2025-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种数据处理的系统、电路及方法。该电路包含双模加法器、最大值探测器电路、区域侦测器电路及对准电路。该双模加法器产生第一浮点数的第一指数与第二浮点数的第二指数之间的乘积。该最大值探测器电路在这些乘积的第一部分中探测最大值。该区域侦测器电路通过比较这些第一部分与该最大值而将这些第一部分分类至区域。该对准电路根据这些区域及这些乘积的第二部分对准这些第一浮点数的第一尾数，以产生对准尾数用于浮点数运算。
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公开(公告)号：CN119645923A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411302087.8
申请日：2024-09-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请的实施例提供了存储器中计算电路及其操作方法。存储器中计算电路包括局部计算单元。响应于识别出输入数据元素和权重数据元素为第一数据类型，每个局部计算单元可以提供第一和，第一和包括(i)第一输入数据元素与第一权重数据元素的第一乘积；以及(ii)第二输入数据元素和第二权重数据元素的第二乘积。响应于识别出输入数据元素和权重数据元素为第二数据类型，每个局部计算单元可以提供(i)第三输入数据元素的第一部分和第三权重数据元素的第二部分的第二和；以及(ii)第三输入数据元素的第二部分和第三权重数据元素的第二部分的第三乘积。
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公开(公告)号：CN116340253A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310078792.3
申请日：2023-02-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种进行存内计算的方法，包括针对某些条件监测乘法累加计算的部分和。当满足某些条件时，使用减小的读取能量而不是使用常规读取能量来读取内存内容。减小的读取能量可以通过降低预充电电压、抑制预充电电压或提供接地信号和/或通过减少电压保持时间(即，减少提供预充电电压和/或对预充电电压放电的时间)。本发明的实施例还提供了一种进行存内计算的器件。
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公开(公告)号：CN222322091U
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202420613478.0
申请日：2024-03-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例提供半导体装置结构。上述结构包括设置于基底上的源极/漏极区、围绕源极/漏极区的第一部的第一层间介电层、围绕源极/漏极区的第二部的不同于第一层间介电层的第二层间介电层、设置于源极/漏极区上的硅化物层以及设置于源极/漏极区上的导电接点。导电接点设置于第二层间介电层内。
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