公开(公告)号：CN101567348A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200810093192.X

申请日：2008-04-21

申请人： 南茂科技股份有限公司 ,  百慕达南茂科技股份有限公司

发明人： 黄成棠

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/11

摘要： 一种具有凸块的晶片结构，包含：一晶片，其上配置有多个晶粒及每一颗晶粒上具有多个焊垫；多个高分子凸块，是配置在每一颗晶粒的焊垫上并曝露出部分的焊垫；一UBM层，形成在每一高分子凸块上及覆盖住曝露出部分的该焊垫；及一导电层，包覆在UBM层的表面上，且通过UBM层与多个焊垫形成电性连接。

公开(公告)号：CN101615584B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200810125050.7

申请日：2008-06-25

申请人： 南茂科技股份有限公司 ,  百慕达南茂科技股份有限公司

发明人： 黄成棠

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明是一种芯片重新配置的封装结构，包含：一芯片；封装体，环覆于芯片的四个面以曝露出芯片的主动面及背面；图案化的保护层，形成在封装体的表面上且覆盖芯片的主动面，并曝露出芯片的多个焊垫；扇出的图案化的金属线段，一端与芯片的焊垫形成电性连接，另一端向外侧延伸并覆盖图案化的第一保护层；图案化的第二保护层，覆盖图案化的金属线段，且曝露出图案化的金属线段的部份表面；图案化的UBM层，形成在已曝露的图案化的金属线段的部份表面上；及导电组件，形成在图案化的UBM层上，通过图案化的UBM层与图案化的金属线段形成电性连接。

公开(公告)号：CN101615583B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200810125048.X

申请日：2008-06-25

申请人： 南茂科技股份有限公司 ,  百慕达南茂科技股份有限公司

发明人： 黄成棠

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L25/00 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明是一种芯片的封装结构及其形成方法，封装结构包括：芯片，其主动面和背面分别配置有多个焊垫及黏着层；封装体，环覆芯片的四个面以曝露出芯片的多个焊垫且形成有多个贯穿孔；图案化的第一保护层，形成在封装体的部份表面及部份芯片的主动面上，且曝露出该多个焊垫及多个贯穿孔；金属层，覆盖于图案化的第一保护层的部份表面且与该多个焊垫形成电性连接且填满多个贯穿孔；图案化的第二保护层，覆盖于图案化的第一保护层及部份金属层上且曝露出金属层的部份表面；多个图案化的UBM层，形成在已曝露的金属层的部份表面及图案化的第二保护层的部份表面上，且与金属层形成电性连接；多个导电组件，形成在多个图案化的UBM层上且通过其与金属层形成电性连接。

公开(公告)号：CN101436553A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200710169496.5

申请日：2007-11-16

申请人： 南茂科技股份有限公司 ,  百慕达南茂科技股份有限公司

发明人： 黄成棠 ,  齐中邦

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/96 ,  H01L21/568 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/20 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种芯片重新配置的封装结构，包括：一芯片，其一主动面上配置有多个焊垫；多个图案化的金属线段，其多个图案化的金属线段的一端与芯片的主动面的多个焊垫电性连接；多个导电柱，形成在多个图案化的金属线段上；一封装体，包覆芯片的五个面且暴露出多个图案化的金属线段；多个导电柱，形成在多个图案化的金属线段的另一端上；一图案化的保护层，包覆多个图案化的金属线段且暴露出多个导电柱的一表面以作为导电端点；及多个导电组件，以数组排列方式电性连接于已暴露的多个导电柱的表面上。

公开(公告)号：CN101436553B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710169496.5

申请日：2007-11-16

申请人： 南茂科技股份有限公司 ,  百慕达南茂科技股份有限公司

发明人： 黄成棠 ,  齐中邦

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/96 ,  H01L21/568 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/20 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种芯片重新配置的封装结构，包括：一芯片，其一有源面上配置有多个焊垫；多个图案化的金属线段，其多个图案化的金属线段的一端与芯片的有源面的多个焊垫电性连接；多个导电柱，形成在多个图案化的金属线段上；一封装体，包覆芯片的五个面且暴露出多个图案化的金属线段；多个导电柱，形成在多个图案化的金属线段的另一端上；一图案化的保护层，包覆多个图案化的金属线段且暴露出多个导电柱的一表面以作为导电端点；及多个导电组件，以数组排列方式电性连接于已暴露的多个导电柱的表面上。

公开(公告)号：CN101615584A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200810125050.7

申请日：2008-06-25

申请人： 南茂科技股份有限公司 ,  百慕达南茂科技股份有限公司

发明人： 黄成棠

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明是一种芯片重新配置的封装结构，包含：一芯片；封装体，环覆于芯片的四个面以曝露出芯片的主动面及背面；图案化的保护层，形成在封装体的表面上且覆盖芯片的主动面，并曝露出芯片的多个焊垫；扇出的图案化的金属线段，一端与芯片的焊垫形成电性连接，另一端向外侧延伸并覆盖图案化的第一保护层；图案化的第二保护层，覆盖图案化的金属线段，且曝露出图案化的金属线段的部份表面；图案化的UBM层，形成在已曝露的图案化的金属线段的部份表面上；及导电组件，形成在图案化的UBM层上，通过图案化的UBM层与图案化的金属线段形成电性连接。

公开(公告)号：CN101615583A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200810125048.X

申请日：2008-06-25

申请人： 南茂科技股份有限公司 ,  百慕达南茂科技股份有限公司

发明人： 黄成棠

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L25/00 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明是一种芯片的封装结构及其形成方法，封装结构包括：芯片，其主动面和背面分别配置有多个焊垫及黏着层；封装体，环覆芯片的四个面以曝露出芯片的多个焊垫且形成有多个贯穿孔；图案化的第一保护层，形成在封装体的部份表面及部份芯片的主动面上，且曝露出该多个焊垫及多个贯穿孔；金属层，覆盖于图案化的第一保护层的部份表面且与该多个焊垫形成电性连接且填满多个贯穿孔；图案化的第二保护层，覆盖于图案化的第一保护层及部份金属层上且曝露出金属层的部份表面；多个图案化的UBM层，形成在已曝露的金属层的部份表面及图案化的第二保护层的部份表面上，且与金属层形成电性连接；多个导电组件，形成在多个图案化的UBM层上且通过其与金属层形成电性连接。

公开(公告)号：CN100517674C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200710085241.0

申请日：2007-02-15

申请人： 南茂科技股份有限公司

发明人： 齐中邦 ,  黄成棠

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/50 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/11 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明是一种用于一半导体集成电路的导电结构及其形成方法，该半导体集成电路包含一衬垫以及一保护层，局部覆盖该衬垫，以界定出具有一第一横向尺寸的一第一开口区域，使得该导电结构适可通过该第一开口区域，与该衬垫呈电性连接。该导电结构包含一支撑层，具有一第二开口区域，以在其中形成一平整顶面的导体，作为一凸块。

公开(公告)号：CN102956547B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201110320424.2

申请日：2011-10-11

申请人： 南茂科技股份有限公司

发明人： 廖宗仁 ,  彭美芳 ,  黄成棠

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/535

CPC分类号： H01L23/13 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058

摘要： 本发明提出一种半导体封装结构及其制作方法。该方法包括以下步骤：提供一具有多个贯孔的第一介电层。提供一具有多个导电通孔及一芯片容纳开口的第二介电层。将第二介电层压合于第一介电层上。将一芯片配置于芯片容纳开口中，并使芯片贴附于芯片容纳开口所暴露出的第一介电层上。芯片的一背面贴附于第一介电层上。于第二介电层上形成一重配置线路层。部分重配置线路层从第二介电层延伸至芯片的一有源表面与导电通孔上，以使芯片通过部分重配置线路层与导电通孔电性连接。于第一介电层上形成多个焊球。焊球位于贯孔内且通过导电通孔及重配置线路层而与芯片电性连接。本发明的半导体封装结构具有较佳可靠度与较小的封装厚度。

公开(公告)号：CN101241866B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200710001888.0

申请日：2007-02-05

申请人： 南茂科技股份有限公司

发明人： 黄成棠

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L2224/11 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了一种具有加强物的凸块结构的制造方法。提供一基板，而基板具有多个接垫与一保护层，其中保护层具有多个开口，且各开口分别暴露出相对应的接垫的一部分。在基板上形成一球底金属材料层，以覆盖保护层与保护层所暴露出的接垫。在球底金属材料层上形成多个凸块，其中各凸块的底面积小于开口的底面积。在各凸块周围的球底金属材料层上形成一加强物，其中各加强物分别与凸块接触，且加强物的材质为一聚合物。图案化球底金属材料层，以形成多个球底金属层，其中各球底金属层的底面积大于开口的底面积。因此，此种凸块具有平坦的顶面，可以改善现有技术所具有的城墙效应。