发明公开
CN101615583A 芯片堆栈结构及其形成方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 芯片堆栈结构及其形成方法
- 专利标题(英): Chip stacking structure and forming method thereof
-
申请号: CN200810125048.X申请日: 2008-06-25
-
公开(公告)号: CN101615583A公开(公告)日: 2009-12-30
- 发明人: 黄成棠
- 申请人: 南茂科技股份有限公司 , 百慕达南茂科技股份有限公司
- 申请人地址: 台湾省新竹科学工业园区新竹县研发一路一号
- 专利权人: 南茂科技股份有限公司,百慕达南茂科技股份有限公司
- 当前专利权人: 南茂科技股份有限公司,百慕达南茂科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 台湾省新竹科学工业园区新竹县研发一路一号
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 任永武
- 主分类号: H01L21/50
- IPC分类号: H01L21/50 ; H01L21/60 ; H01L21/56 ; H01L23/48 ; H01L23/31 ; H01L25/00 ; H01L23/488
摘要:
本发明是一种芯片的封装结构及其形成方法,封装结构包括:芯片,其主动面和背面分别配置有多个焊垫及黏着层;封装体,环覆芯片的四个面以曝露出芯片的多个焊垫且形成有多个贯穿孔;图案化的第一保护层,形成在封装体的部份表面及部份芯片的主动面上,且曝露出该多个焊垫及多个贯穿孔;金属层,覆盖于图案化的第一保护层的部份表面且与该多个焊垫形成电性连接且填满多个贯穿孔;图案化的第二保护层,覆盖于图案化的第一保护层及部份金属层上且曝露出金属层的部份表面;多个图案化的UBM层,形成在已曝露的金属层的部份表面及图案化的第二保护层的部份表面上,且与金属层形成电性连接;多个导电组件,形成在多个图案化的UBM层上且通过其与金属层形成电性连接。
公开/授权文献
- CN101615583B 芯片堆栈结构的形成方法 公开/授权日:2011-05-18
IPC分类: