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公开(公告)号：CN118050668A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410039025.6
申请日：2024-01-10
Applicant: 南京邮电大学 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提出了一种具有灵敏度温漂补偿功能的低残余失调的霍尔磁传感器及信号调理电路和方法，属于磁传感器技术领域。包括四相动态旋转电流调制电路、前端电压放大电路、全差分相关双采样解调电路、低通滤波器、灵敏度温漂补偿电路、时钟产生电路。利用旋转电流电路输出相同极性的霍尔电压与不同极性的失调电压，后续通过电压积分放大电路和全差分相关双采样解调电路操作进行失调噪声消除，最后通过低通滤波器得到极低残余失调的霍尔信号。全差分相关双采样解调电路不仅可以抑制电路自身失调噪声，还可以接收灵敏度温漂补偿电路产生的电压信号和霍尔传感器输出端的霍尔电压信号，形成负反馈结构，使输出的霍尔电压具有很好的稳定性。
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公开(公告)号：CN114531648B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202210117258.4
申请日：2022-02-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
IPC: H04W4/02 , H04L43/0852
Abstract: 本发明涉及超宽带定位技术领域，其实施方式提供了一种超宽带同步定位方法、装置、电子设备及系统。其中超宽带同步定位方法包括：确定每个超宽带定位基站与所述控制端之间的传输路径；确定每条传输路径上的传输时延；根据所述控制端接收到定位标签信息的接收时间和所述定位标签信息所经过的传输路径所对应的传输时延，确定所述传输路径对端的超宽带定位基站发送所述定位标签信息的发送时间；根据所述定位标签信息和定位标签信息的发送时间解算得到所述定位标签的位置。本发明提供的实施方式避免了超宽带同步定位系统中额外的同步花销，降低了系统成本和后台的计算负载。
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公开(公告)号：CN117794348A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311380067.8
申请日：2023-10-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种霍尔元件、一种霍尔芯片和一种电子设备，属于电子技术领域。霍尔元件包括：基底；一对激励电极，在所述基底上相对设置；所述一对激励电极之间相连形成的方向为第一方向；一对接地电极，在所述基底上相对设置；所述一对接地电极之间相连形成的方向为第二方向；所述第一方向与所述第二方向之间呈角度设置；多个输出电极，相邻的激励电极和接地电极之间设有一个输出电极。本发明的霍尔元件在基底的呈角度设置的两个方向上分别放置一对激励电极和一对接地电极，实现在单个基底的霍尔区域上形成有四个极化方向的电流，得到和四相旋转电流等效的零偏消除效果，从而实现提高带宽。
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公开(公告)号：CN115490213B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202211049050.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 华东师范大学 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Inventor： 潘丽坤 , 张亚娟 , 陆婷 , 杨文 , 李良 , 平爱军 , 白鹏飞 , 胡泉 , 易玲 , 姬忠平 , 颜培帅 , 王海宝 , 孙恒超 , 王文赫 , 王峥 , 李延 , 张谦
IPC: C01B19/04 , B82Y40/00 , H01M4/58 , H01M10/0525 , H01M10/054
Abstract: 本发明涉及电池负极材料技术领域，公开了一种金属有机骨架衍生的VSe2材料及其制备方法和应用。所述方法包括：将含V元素的金属有机骨架和硒粉在惰性气氛下进行热处理，得到所述VSe2材料；其中，所述金属有机骨架材料和硒粉的质量比为1：2‑15，所述热处理温度为400‑550℃。本发明中提供的金属有机骨架衍生的VSe2材料的制备方法，工艺简单，条件温和，制备得到金属有机骨架衍生的VSe2材料具有优异的电化学性能，适合放大生产。
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公开(公告)号：CN115857541A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211457567.2
申请日：2022-11-21
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种基于A*规划算法的路线规划方法，其特征在于，方法包括：根据A*规划算法以及地图，确定评估函数；根据评估函数，确定初步规划路线；根据预设策略以及初步规划路线，去除初步规划路线中的冗余对象，确定目标规划路线。本申请通过上述方法本申请可以在A*算法的基础上确定一个优化过的规划路线，去除了冗余的转折点等对象，降低了总转弯角度的同时使路径平滑度进一步提高，简单高效地降低了飞行轨迹的长度，从而进一步降低无人机飞行的能耗，提高了无人机的完飞率，避免了因能耗过大而导致的无人机坠毁事故。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115490213A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211049050.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 华东师范大学 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Inventor： 潘丽坤 , 张亚娟 , 陆婷 , 杨文 , 李良 , 平爱军 , 白鹏飞 , 胡泉 , 易玲 , 姬忠平 , 颜培帅 , 王海宝 , 孙恒超 , 王文赫 , 王峥 , 李延 , 张谦
IPC: C01B19/04 , B82Y40/00 , H01M4/58 , H01M10/0525 , H01M10/054
Abstract: 本发明涉及电池负极材料技术领域，公开了一种金属有机骨架衍生的VSe2材料及其制备方法和应用。所述方法包括：将含V元素的金属有机骨架和硒粉在惰性气氛下进行热处理，得到所述VSe2材料；其中，所述金属有机骨架材料和硒粉的质量比为1：2‑15，所述热处理温度为400‑550℃。本发明中提供的金属有机骨架衍生的VSe2材料的制备方法，工艺简单，条件温和，制备得到金属有机骨架衍生的VSe2材料具有优异的电化学性能，适合放大生产。
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公开(公告)号：CN114964510A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210891757.9
申请日：2022-07-27
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种架空线路的金具温度异常监测方法、系统及智能电力终端。其中，方法包括：获取架空线路上的金具温度信息，并确定架空线路的类型；在根据架空线路的类型确定金具温度信息满足第一预设条件时，控制红外热成像单元和图像感知单元开启，以对架空线路上的金具进行监测；获取红外热成像单元监测到的热力图数据和图像感知单元监测到的图像数据；对热力图数据和图像数据进行综合处理，以对架空线路上的金具进行异常监测，并上传异常监测结果。由此，通过在金具温度信息满足第一预设条件时，基于热力图数据和图像数据对金具进行异常监测，并将异常监测结果上传，能够减少数据的发送量以及降低误报的可能，提高金具异常监测的准确率。
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公开(公告)号：CN114048091A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111227548.6
申请日：2021-10-21
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种边缘物联代理装置和电力输电线路的在线监测系统。其中，边缘物联代理装置包括：接口单元、协议转换模组和边缘计算模组，接口单元包括符合至少两种协议的多个接口，接口用以与对应电力输电线路设置的传感器连接，以接收相应传感器传输的数据；协议转换模组与多个接口连接，用以将接口接收到的数据转换成符合目标协议的数据；边缘计算模组与协议转换模组连接，用以对符合目标协议的数据进行边缘计算，边缘计算模组还用以与平台服务器连接，以将边缘计算得到的计算结果传输至平台服务器。本发明的边缘物联代理装置可兼容各类型传感器，并可对各类型传感器的接入数据进行本地边缘计算，从而降低平台服务器的计算压力。
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公开(公告)号：CN117579651A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311458778.2
申请日：2023-11-03
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种物联网系统，属于物联网技术领域。物联网系统包括设备端和平台端，设备端包括边缘网关和多个终端设备，各个终端设备的数据格式不同，边缘网关中设置有IoT标准物模型，平台端为物联网平台；各个终端设备分别通过IoT标准物模型与边缘网关进行数据交互，边缘网关与物联网平台进行数据交互；其中，IoT标准物模型中集成有多种通讯协议，以满足不同数据格式的终端设备进行数据通信。减少了开发人员的工作量，提高了开发效率，使得平台端支持不同终端设备的多样化协议接入，实现不同厂家的应用与终端设备无缝对接，集成效率更高，使得开发的系统复用率高。
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公开(公告)号：CN116930842A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310857019.7
申请日：2023-07-12
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种霍尔芯片校准结构、方法、系统、装置及霍尔芯片，属于芯片技术领域。所述霍尔芯片校准结构包括：至少一个校验霍尔盘，所述校验霍尔盘的外形与待校准霍尔芯片中用于功能实现的霍尔盘的外形相同；所述校验霍尔盘设置有输入端和输出端，所述校验霍尔盘的输入端与外部激励的输出端连接，所述校验霍尔盘的输出端用于输出霍尔电压。相对于现有技术中采用电路或是模组进行校准，大大减少了校准误差，提高了校准结果的准确度。
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