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公开(公告)号：CN117794348A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311380067.8
申请日：2023-10-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种霍尔元件、一种霍尔芯片和一种电子设备，属于电子技术领域。霍尔元件包括：基底；一对激励电极，在所述基底上相对设置；所述一对激励电极之间相连形成的方向为第一方向；一对接地电极，在所述基底上相对设置；所述一对接地电极之间相连形成的方向为第二方向；所述第一方向与所述第二方向之间呈角度设置；多个输出电极，相邻的激励电极和接地电极之间设有一个输出电极。本发明的霍尔元件在基底的呈角度设置的两个方向上分别放置一对激励电极和一对接地电极，实现在单个基底的霍尔区域上形成有四个极化方向的电流，得到和四相旋转电流等效的零偏消除效果，从而实现提高带宽。
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公开(公告)号：CN116930842A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310857019.7
申请日：2023-07-12
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种霍尔芯片校准结构、方法、系统、装置及霍尔芯片，属于芯片技术领域。所述霍尔芯片校准结构包括：至少一个校验霍尔盘，所述校验霍尔盘的外形与待校准霍尔芯片中用于功能实现的霍尔盘的外形相同；所述校验霍尔盘设置有输入端和输出端，所述校验霍尔盘的输入端与外部激励的输出端连接，所述校验霍尔盘的输出端用于输出霍尔电压。相对于现有技术中采用电路或是模组进行校准，大大减少了校准误差，提高了校准结果的准确度。
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公开(公告)号：CN221354898U
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202322845779.4
申请日：2023-10-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种霍尔元件、一种霍尔芯片和一种电子设备，属于电子技术领域。霍尔元件包括：基底；一对激励电极，在所述基底上相对设置；所述一对激励电极之间相连形成的方向为第一方向；一对接地电极，在所述基底上相对设置；所述一对接地电极之间相连形成的方向为第二方向；所述第一方向与所述第二方向之间呈角度设置；多个输出电极，相邻的激励电极和接地电极之间设有一个输出电极。本实用新型的霍尔元件在基底的呈角度设置的两个方向上分别放置一对激励电极和一对接地电极，实现在单个基底的霍尔区域上形成有四个极化方向的电流，得到和四相旋转电流等效的零偏消除效果，从而实现提高带宽。
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公开(公告)号：CN220399625U
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202321836692.4
申请日：2023-07-12
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型实施例提供一种霍尔芯片校准结构、系统及霍尔芯片，属于芯片技术领域。所述霍尔芯片校准结构包括：至少一个校验霍尔盘，所述校验霍尔盘的外形与待校准霍尔芯片中用于功能实现的霍尔盘的外形相同；所述校验霍尔盘设置有输入端和输出端，所述校验霍尔盘的输入端与外部激励的输出端连接，所述校验霍尔盘的输出端用于输出霍尔电压。相对于现有技术中采用电路或是模组进行校准，大大减少了校准误差，提高了校准结果的准确度。
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公开(公告)号：CN119959597A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411635777.5
申请日：2024-11-15
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网甘肃省电力公司 , 国网北京市电力公司
Inventor： 王浩 , 王文卓 , 杨菁菁 , 朱月 , 孙恒超 , 方东明 , 王蔓蓉 , 姜帅 , 李佩笑 , 刘紫威 , 陶毅 , 周娴姊 , 李岩 , 牛长胜 , 闻志国 , 臧志成 , 杜君 , 李腾浩
Abstract: 本公开涉及电流监测领域，具体涉及一种基于磁敏传感芯片的无源取能电流传感器，其特征在于，所述无源取能电流传感器包括：磁芯、取能线圈、磁敏传感芯片、无线通信模块、DC/DC模块、整流模块，所述磁芯具有开有气隙孔的环状结构，所述气隙孔沿所述环状结构的径向贯穿所述环状结构，所述气隙孔沿所述环状结构的轴向方向不贯穿所述环状结构，所述取能线圈缠绕在所述磁芯上，在对待测量导线进行测量时，所述待测量导线从所述环状结构的环心穿过，所述磁敏传感芯片设置在所述磁芯的气隙孔中，本公开实施例结构简单可靠，便于制造和维护，使用单磁芯可实现无源取能和电流测量的双重功效，便于实现低成本和小型化的电流监测设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117420484A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311302725.1
申请日：2023-10-09
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种采用频率输出的霍尔传感器，属于传感器技术领域。所述霍尔传感器包括：补偿电路，用于提供与外加磁场无关的参考电压；所述参考电压随温度的变化规律和测量电路相同；测量电路，用于根据外加磁场产生霍尔电压；还用于测量激励源的频率，并根据激励源的频率确定外加磁场的大小；减法器，用于计算参考电压和霍尔电压的电压差值，并将所述电压差值反馈给激励源；测量电路激励源，用于为测量电路提供驱动电流；以及用于根据所述电压差值进行负反馈，使得所述霍尔电压的取值始终和所述参考电压相等。本发明利用霍尔电压对激励电源的频率响应特性，将霍尔电压转变为频率信号，通过对频率信号的测量来得到磁场的强度值。
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公开(公告)号：CN118483628B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410946867.X
申请日：2024-07-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01R33/00 , G01R33/028
Abstract: 本公开涉及磁传感技术领域，具体涉及一种磁敏元件及其制备方法、磁敏传感器、电子器件、芯片和电子设备。该磁敏元件包括：基底、有源区、激励电极和磁偏转电流检测电极；该基底位于最底层；该有源区形成于该基底上；该有源区为梳状结构，该梳状结构包括梳脊和多个梳齿，该多个梳齿从该梳脊的一侧或多侧伸出；该激励电极设置于该梳脊上或该梳脊外围，与该梳脊形成电接触，通过导线与外部电源相连，用于为该磁敏元件施加激励电流；该磁偏转电流检测电极设置于该梳齿两侧，用于检测该激励电流因磁场作用而发生偏转后所产生的电流变化。磁敏传感器包括该磁敏元件，利用该激励电流所产生的电流变化测量磁场，由此提高了传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN118362774A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410526979.X
申请日：2024-04-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及电子传感器领域，提供一种单芯片集成式电流传感器及制造方法。所述单芯片集成式电流传感器包括：电流测量单元、电磁感应取能单元以及无线通信单元，电流测量单元基于磁通门技术探测待测电流，电磁感应取能单元基于电磁感应原理产生感应电流，无线通信单元采用偶极子天线技术发送和接收信号；电流测量单元、电磁感应取能单元以及无线通信单元一体化集成于单芯片上。本发明的集成式电流传感器，可以利用微机电系统加工工艺将电流检测、取能、通信等功能结构一体化集成在单芯片上，可批量化生产，生产成本较低，且体积小、重量轻，有利于在长距离输电线路上进行大量布置。
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公开(公告)号：CN118362774B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410526979.X
申请日：2024-04-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及电子传感器领域，提供一种单芯片集成式电流传感器及制造方法。所述单芯片集成式电流传感器包括：电流测量单元、电磁感应取能单元以及无线通信单元，电流测量单元基于磁通门技术探测待测电流，电磁感应取能单元基于电磁感应原理产生感应电流，无线通信单元采用偶极子天线技术发送和接收信号；电流测量单元、电磁感应取能单元以及无线通信单元一体化集成于单芯片上。本发明的集成式电流传感器，可以利用微机电系统加工工艺将电流检测、取能、通信等功能结构一体化集成在单芯片上，可批量化生产，生产成本较低，且体积小、重量轻，有利于在长距离输电线路上进行大量布置。
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公开(公告)号：CN118330518A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410307486.7
申请日：2024-03-18
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁通门传感芯片的制作方法及磁通门传感芯片，属于传感芯片技术领域。所述磁通门传感芯片的制作方法包括：分别在两片硅片上刻蚀出磁芯槽、螺线管线圈槽和通孔，并至少在其中一片硅片上刻蚀出电极腔，两片硅片上的磁芯槽和通孔的位置相对应，两片硅片上的螺线管线圈槽的方向相反，所述电极腔与螺线管线圈槽连通；将两片硅片进行键合，使其形成闭合的磁芯槽和线圈结构；采用液态金属浇铸技术对所述闭合的线圈结构浇铸，形成磁通门线圈，得到加工好的晶圆；将所述加工好的晶圆进行划片，得到磁通门传感芯片。避免使用电镀工艺，磁芯结构不受限，磁芯厚度可以比电镀工艺提高一个数量级，提高了磁通门传感器的检测灵敏度。
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