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公开(公告)号：CN118050668A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410039025.6
申请日：2024-01-10
Applicant: 南京邮电大学 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提出了一种具有灵敏度温漂补偿功能的低残余失调的霍尔磁传感器及信号调理电路和方法，属于磁传感器技术领域。包括四相动态旋转电流调制电路、前端电压放大电路、全差分相关双采样解调电路、低通滤波器、灵敏度温漂补偿电路、时钟产生电路。利用旋转电流电路输出相同极性的霍尔电压与不同极性的失调电压，后续通过电压积分放大电路和全差分相关双采样解调电路操作进行失调噪声消除，最后通过低通滤波器得到极低残余失调的霍尔信号。全差分相关双采样解调电路不仅可以抑制电路自身失调噪声，还可以接收灵敏度温漂补偿电路产生的电压信号和霍尔传感器输出端的霍尔电压信号，形成负反馈结构，使输出的霍尔电压具有很好的稳定性。
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公开(公告)号：CN118944436A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410817920.6
申请日：2024-06-24
Applicant: 南京邮电大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有斜波跟踪控制功能的升压型DC‑DC变换器及其实现方法，涉及DC‑DC技术领域，包括误差放大器、带有跟踪控制功能的斜坡生成模块、逻辑驱动模块、PWM比较器、开关管和整流管以及外部的电感电容。本发明提出的带有斜坡跟踪控制功能的斜坡发生器，可以在负载突变时使斜坡生成模块产生的信号跟随误差放大器VE的变化，即当VOUT波形呈下冲趋势时，斜坡型号VRAMP始终低于VOUT。当VOUT波形呈上冲趋势时，斜坡型号VRAMP始终高于VOUT，且二者的差值在固定的幅值范围内，因此斜坡发生器只需要极短的时间就能恢复正常的输出，提高升压型DC‑DC的瞬态响应的速度，优化电压模式控制下DC‑DC转换器的工作效率。
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公开(公告)号：CN108955906B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201810683221.1
申请日：2018-06-27
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明提出一种应用于单光子探测器的时间‑模拟转换电路，包括：淬灭电路、RS触发器F、传输门TG、单刀双掷开关S、采样电容C和源极跟随电路；淬灭复位控制SPAD的淬灭复位以及控制雪崩信号的传输，RS触发器由雪崩信号控制追踪保持电路对与曝光信号同步的三角波采样，从而得到与光子飞行时间线性相关的电压值，且RS触发器起到对采样追踪电路复位的作用。单刀双掷开关在复位与光子飞行时间测量阶段给追踪保持电路提供不同的参考信号。本发明由触发器构成，电路结构简单，控制时序信号较少，占用面积较小，能够达到较高的填充系数，适用与大规模的像素阵列。且具有较高的输出范围，因此具有较小的时间分辨率，适用于较为精密的光子飞行时间的测量。
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公开(公告)号：CN108511467A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810182345.1
申请日：2018-03-06
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L27/144 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种近红外宽光谱的CMOS单光子雪崩二极管探测器，包括同轴设置的呈圆柱形的P型衬底、P外延区、深N阱区、中心N阱区、N+区以及圆环形的第一P阱区、侧N阱区、第二P阱区和P+区。本发明提出的SPAD探测器在深N阱与P-外延层之间形成深的主雪崩区，可探测近红外短波光子；同时深N阱内部有两个浅的次雪崩环区，可探测短波光子，从而实现从蓝光到近红外短波的宽光谱光子探测。本发明可在标准CMOS工艺制作，具有集成度高、功耗低、抗干扰能力强等优点。
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公开(公告)号：CN108511467B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201810182345.1
申请日：2018-03-06
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L27/144 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种近红外宽光谱的CMOS单光子雪崩二极管探测器，包括同轴设置的呈圆柱形的P型衬底、P外延区、深N阱区、中心N阱区、N+区以及圆环形的第一P阱区、侧N阱区、第二P阱区和P+区。本发明提出的SPAD探测器在深N阱与P‑外延层之间形成深的主雪崩区，可探测近红外短波光子；同时深N阱内部有两个浅的次雪崩环区，可探测短波光子，从而实现从蓝光到近红外短波的宽光谱光子探测。本发明可在标准CMOS工艺制作，具有集成度高、功耗低、抗干扰能力强等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108391071B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201711184151.7
申请日：2017-11-23
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种采用二次相关双采样技术的SPAD阵列级读出电路，包括CDS读出电路和采样保持电路。第一级CDS读出电路由1个电压跟随器，2个开关电路与1个采样电容组成，接在每条列总线上用于保证像素单元的信息的快速读出，并将像素单元中的固定模式噪声消除。第二级CDS读出电路由2个电压跟随器，2个开关电路与2个采样电容组成，用于消除读出电路中的固定模式噪声。二次相关双采样阵列级读出电路只需两个控制信号，时序信号简单。本发明具有时序控制简单且读出速度较快的优点，两级CDS只需两个控制信号，且读出速度较快，提高了读出电路的工作效率。因此在大规模的像素阵列电路中优势较为明显。
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公开(公告)号：CN108955906A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810683221.1
申请日：2018-06-27
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明提出一种应用于单光子探测器的时间‑模拟转换电路，包括：淬灭电路、RS触发器F、传输门TG、单刀双掷开关S、采样电容C和源极跟随电路；淬灭复位控制SPAD的淬灭复位以及控制雪崩信号的传输，RS触发器由雪崩信号控制追踪保持电路对与曝光信号同步的三角波采样，从而得到与光子飞行时间线性相关的电压值，且RS触发器起到对采样追踪电路复位的作用。单刀双掷开关在复位与光子飞行时间测量阶段给追踪保持电路提供不同的参考信号。本发明由触发器构成，电路结构简单，控制时序信号较少，占用面积较小，能够达到较高的填充系数，适用与大规模的像素阵列。且具有较高的输出范围，因此具有较小的时间分辨率，适用于较为精密的光子飞行时间的测量。
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公开(公告)号：CN108391071A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201711184151.7
申请日：2017-11-23
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种采用二次相关双采样技术的SPAD阵列级读出电路，包括CDS读出电路和采样保持电路。第一级CDS读出电路由1个电压跟随器，2个开关电路与1个采样电容组成，接在每条列总线上用于保证像素单元的信息的快速读出，并将像素单元中的固定模式噪声消除。第二级CDS读出电路由2个电压跟随器，2个开关电路与2个采样电容组成，用于消除读出电路中的固定模式噪声。二次相关双采样阵列级读出电路只需两个控制信号，时序信号简单。本发明具有时序控制简单且读出速度较快的优点，两级CDS只需两个控制信号，且读出速度较快，提高了读出电路的工作效率。因此在大规模的像素阵列电路中优势较为明显。
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公开(公告)号：CN118591264B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411038053.2
申请日：2024-07-31
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了高灵敏度的四孔垂直型霍尔器件及使用、制备、耦合方法，涉及磁传感器技术领域。本发明包括P型衬底，所述P型衬底中形成有N+埋层，P型衬底与N+埋层形成反向PN结构成横向保护环；所述N+埋层的上方形成有深N阱，所述深N阱上方表面形成多个重掺杂N+区，多个重掺杂N+区两两之间形成有平行的深P阱区，所述深P阱区表面形成有重掺杂P+区，且重掺杂P+区表面淀积金属作为深P阱区的接触电极；所述深N阱的四周形成有均匀环状的浅P阱区，环状浅P阱区与深N阱相交叠，并与深P阱区相连。本发明的四孔垂直型霍尔器件结构能够有效提高磁场灵敏度，隔离衬底噪声干扰，为实现低成本、高分辨率的集成多轴磁场传感器提供了可行的方案。
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公开(公告)号：CN118033209B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202311826556.1
申请日：2023-12-28
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提出了一种双通道带宽霍尔电流传感器及实现方法，属于磁传感器技术领域。所述的双通道带宽霍尔电流传感器包括1个低频通路，1个高频通路，1个匹配网络，1个时钟产生电路和1个片上S型铜轨。本发明结构新颖且实现简单，低频通路采用了电流模式动态失调消除和微弱霍尔电流放大技术，不但能实现极低的残余失调和噪声，而且能获得极高的线性度；放大与失调校准电路不仅解决因为高频通路的直流失调过大导致电路不工作问题，而且获得了高的增益和带宽，整体电路具有低的残余失调；采用纯霍尔器件探头的双通道电路设计方案，无需大尺寸的罗氏线圈和耦合电容，不但提高了传感器集成度，减小了功耗，还获得了MHz级以上带宽。
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