一种应用于单光子探测器的时间-模拟转换电路

    公开(公告)号:CN108955906B

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN201810683221.1

    申请日:2018-06-27

    Inventor: 李鼎 徐跃 吴仲

    Abstract: 本发明提出一种应用于单光子探测器的时间‑模拟转换电路,包括:淬灭电路、RS触发器F、传输门TG、单刀双掷开关S、采样电容C和源极跟随电路;淬灭复位控制SPAD的淬灭复位以及控制雪崩信号的传输,RS触发器由雪崩信号控制追踪保持电路对与曝光信号同步的三角波采样,从而得到与光子飞行时间线性相关的电压值,且RS触发器起到对采样追踪电路复位的作用。单刀双掷开关在复位与光子飞行时间测量阶段给追踪保持电路提供不同的参考信号。本发明由触发器构成,电路结构简单,控制时序信号较少,占用面积较小,能够达到较高的填充系数,适用与大规模的像素阵列。且具有较高的输出范围,因此具有较小的时间分辨率,适用于较为精密的光子飞行时间的测量。

    一种采用二次相关双采样技术的SPAD阵列级读出电路

    公开(公告)号:CN108391071B

    公开(公告)日:2020-04-14

    申请号:CN201711184151.7

    申请日:2017-11-23

    Inventor: 李鼎 徐跃 孙飞阳

    Abstract: 本发明公开了一种采用二次相关双采样技术的SPAD阵列级读出电路,包括CDS读出电路和采样保持电路。第一级CDS读出电路由1个电压跟随器,2个开关电路与1个采样电容组成,接在每条列总线上用于保证像素单元的信息的快速读出,并将像素单元中的固定模式噪声消除。第二级CDS读出电路由2个电压跟随器,2个开关电路与2个采样电容组成,用于消除读出电路中的固定模式噪声。二次相关双采样阵列级读出电路只需两个控制信号,时序信号简单。本发明具有时序控制简单且读出速度较快的优点,两级CDS只需两个控制信号,且读出速度较快,提高了读出电路的工作效率。因此在大规模的像素阵列电路中优势较为明显。

    一种应用于单光子探测器的时间-模拟转换电路

    公开(公告)号:CN108955906A

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201810683221.1

    申请日:2018-06-27

    Inventor: 李鼎 徐跃 吴仲

    Abstract: 本发明提出一种应用于单光子探测器的时间‑模拟转换电路,包括:淬灭电路、RS触发器F、传输门TG、单刀双掷开关S、采样电容C和源极跟随电路;淬灭复位控制SPAD的淬灭复位以及控制雪崩信号的传输,RS触发器由雪崩信号控制追踪保持电路对与曝光信号同步的三角波采样,从而得到与光子飞行时间线性相关的电压值,且RS触发器起到对采样追踪电路复位的作用。单刀双掷开关在复位与光子飞行时间测量阶段给追踪保持电路提供不同的参考信号。本发明由触发器构成,电路结构简单,控制时序信号较少,占用面积较小,能够达到较高的填充系数,适用与大规模的像素阵列。且具有较高的输出范围,因此具有较小的时间分辨率,适用于较为精密的光子飞行时间的测量。

    一种采用二次相关双采样技术的SPAD阵列级读出电路

    公开(公告)号:CN108391071A

    公开(公告)日:2018-08-10

    申请号:CN201711184151.7

    申请日:2017-11-23

    Inventor: 李鼎 徐跃 孙飞阳

    Abstract: 本发明公开了一种采用二次相关双采样技术的SPAD阵列级读出电路,包括CDS读出电路和采样保持电路。第一级CDS读出电路由1个电压跟随器,2个开关电路与1个采样电容组成,接在每条列总线上用于保证像素单元的信息的快速读出,并将像素单元中的固定模式噪声消除。第二级CDS读出电路由2个电压跟随器,2个开关电路与2个采样电容组成,用于消除读出电路中的固定模式噪声。二次相关双采样阵列级读出电路只需两个控制信号,时序信号简单。本发明具有时序控制简单且读出速度较快的优点,两级CDS只需两个控制信号,且读出速度较快,提高了读出电路的工作效率。因此在大规模的像素阵列电路中优势较为明显。

    高灵敏度的四孔垂直型霍尔器件及使用、制备、耦合方法

    公开(公告)号:CN118591264B

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202411038053.2

    申请日:2024-07-31

    Abstract: 本发明公开了高灵敏度的四孔垂直型霍尔器件及使用、制备、耦合方法,涉及磁传感器技术领域。本发明包括P型衬底,所述P型衬底中形成有N+埋层,P型衬底与N+埋层形成反向PN结构成横向保护环;所述N+埋层的上方形成有深N阱,所述深N阱上方表面形成多个重掺杂N+区,多个重掺杂N+区两两之间形成有平行的深P阱区,所述深P阱区表面形成有重掺杂P+区,且重掺杂P+区表面淀积金属作为深P阱区的接触电极;所述深N阱的四周形成有均匀环状的浅P阱区,环状浅P阱区与深N阱相交叠,并与深P阱区相连。本发明的四孔垂直型霍尔器件结构能够有效提高磁场灵敏度,隔离衬底噪声干扰,为实现低成本、高分辨率的集成多轴磁场传感器提供了可行的方案。

    一种双通道宽带霍尔电流传感器及实现方法

    公开(公告)号:CN118033209B

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202311826556.1

    申请日:2023-12-28

    Inventor: 徐跃 崔博伟

    Abstract: 本发明提出了一种双通道带宽霍尔电流传感器及实现方法,属于磁传感器技术领域。所述的双通道带宽霍尔电流传感器包括1个低频通路,1个高频通路,1个匹配网络,1个时钟产生电路和1个片上S型铜轨。本发明结构新颖且实现简单,低频通路采用了电流模式动态失调消除和微弱霍尔电流放大技术,不但能实现极低的残余失调和噪声,而且能获得极高的线性度;放大与失调校准电路不仅解决因为高频通路的直流失调过大导致电路不工作问题,而且获得了高的增益和带宽,整体电路具有低的残余失调;采用纯霍尔器件探头的双通道电路设计方案,无需大尺寸的罗氏线圈和耦合电容,不但提高了传感器集成度,减小了功耗,还获得了MHz级以上带宽。

    SPAD器件结构、SPAD探测器及SPAD器件结构制备方法

    公开(公告)号:CN114975657B

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202210449273.9

    申请日:2022-04-27

    Inventor: 董杰 徐跃

    Abstract: 本发明提供一种SPAD器件结构、SPAD探测器及SPAD器件结构制备方法,主要利用P阱与深N阱、高压P阱与N+埋层之间形成两个的雪崩倍增区来提高器件对不同波段光子的响应效率,其中高压P阱与N+埋层之间的雪崩倍增区可以更好地响应较长波段的光子,P阱与深N阱之间的雪崩倍增区可以响应较短波段的光子,提高了器件的光子探测效率,而且在器件之间可以共用埋层与阴极,极大地减小阵列的面积,提高阵列的填充因子。为宽光谱响应、高密度集成的SPAD阵列设计提供了新思路。

    一种双结单光子雪崩二极管、探测器及制作方法

    公开(公告)号:CN115425101A

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN202211136469.9

    申请日:2022-09-19

    Inventor: 刘丹璐 徐跃

    Abstract: 本发明公开了一种双结单光子雪崩二极管,该二极管的特点是在器件中形成双雪崩区,利用重掺杂n型埋层和高压p阱形成的PN结作为深雪崩区,高压p阱和n阱形成浅雪崩区。该双结二极管结构能够提高对近红外光子的探测效率,提高器件整体的光子探测效率,实现单光子的宽光谱响应,为实现低成本、高探测效率的激光测距、三维成像等提供可行的方案。本发明还公开一种双结单光子雪崩二极管探测器及制作方法。

Patent Agency Ranking