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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112260583A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011257613.5
申请日：2020-11-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H02N2/18
Abstract: 本发明提供的一种应用于旋转环境的自调频振动能量收集装置，包括振动能量收集器、外框、配重质量块和弹性结构，外框为U性框架结构，其两边为导轨杆，导轨杆滑动连接弹力结构；配重质量块两端分别与两个弹力结构连接；配重质量块中部与振动能量收集器一端固定连接；振动能量收集器包括悬臂梁、调频质量块和附加质量块；调频质量块固定在悬臂梁末端；附加质量块中间具有贯穿槽，供所述悬臂梁穿过所述贯穿槽与附加质量块不固定连接，悬臂梁末端的调频质量块宽度尺寸大于附加质量块中间的贯穿槽；本发明自调频振动能量收集装置可以调节振动能量收集器固有频率，实现与转动激励频率相匹配，增加振动能量收集器工作频带宽度。
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公开(公告)号：CN118591264B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411038053.2
申请日：2024-07-31
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了高灵敏度的四孔垂直型霍尔器件及使用、制备、耦合方法，涉及磁传感器技术领域。本发明包括P型衬底，所述P型衬底中形成有N+埋层，P型衬底与N+埋层形成反向PN结构成横向保护环；所述N+埋层的上方形成有深N阱，所述深N阱上方表面形成多个重掺杂N+区，多个重掺杂N+区两两之间形成有平行的深P阱区，所述深P阱区表面形成有重掺杂P+区，且重掺杂P+区表面淀积金属作为深P阱区的接触电极；所述深N阱的四周形成有均匀环状的浅P阱区，环状浅P阱区与深N阱相交叠，并与深P阱区相连。本发明的四孔垂直型霍尔器件结构能够有效提高磁场灵敏度，隔离衬底噪声干扰，为实现低成本、高分辨率的集成多轴磁场传感器提供了可行的方案。
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公开(公告)号：CN117589056A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311436852.0
申请日：2023-10-31
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种全集成霍尔角度传感器电路和实现方法，涉及磁传感器技术领域，包括前端模拟电路，包括四相旋转电流调制器、差分差值放大器、相关双采样解调和二次放大器、X和Y轴采样保持器；后端数字电路，包括角度提取模块和时钟产生器。本发明提出的霍尔角度传感器电路，一方面采用两次失调消除操作具有很低的残余失调，另一方面采用相关双采样消除放大器自身失调相较于传统采用斩波和低通滤波相结合消除放大器失调的方案，前端模拟电路输出的X和Y轴方向的霍尔电压信号具有很低的输出纹波，可以实现很高的精度，解决了目前霍尔角度传感器残余失调大、前端模拟电路输出纹波大、精度差的问题。
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公开(公告)号：CN118591264A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202411038053.2
申请日：2024-07-31
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了高灵敏度的四孔垂直型霍尔器件及使用、制备、耦合方法，涉及磁传感器技术领域。本发明包括P型衬底，所述P型衬底中形成有N+埋层，P型衬底与N+埋层形成反向PN结构成横向保护环；所述N+埋层的上方形成有深N阱，所述深N阱上方表面形成多个重掺杂N+区，多个重掺杂N+区两两之间形成有平行的深P阱区，所述深P阱区表面形成有重掺杂P+区，且重掺杂P+区表面淀积金属作为深P阱区的接触电极；所述深N阱的四周形成有均匀环状的浅P阱区，环状浅P阱区与深N阱相交叠，并与深P阱区相连。本发明的四孔垂直型霍尔器件结构能够有效提高磁场灵敏度，隔离衬底噪声干扰，为实现低成本、高分辨率的集成多轴磁场传感器提供了可行的方案。
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公开(公告)号：CN112260583B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202011257613.5
申请日：2020-11-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H02N2/18
Abstract: 本发明提供的一种应用于旋转环境的自调频振动能量收集装置，包括振动能量收集器、外框、配重质量块和弹性结构，外框为U性框架结构，其两边为导轨杆，导轨杆滑动连接弹力结构；配重质量块两端分别与两个弹力结构连接；配重质量块中部与振动能量收集器一端固定连接；振动能量收集器包括悬臂梁、调频质量块和附加质量块；调频质量块固定在悬臂梁末端；附加质量块中间具有贯穿槽，供所述悬臂梁穿过所述贯穿槽与附加质量块不固定连接，悬臂梁末端的调频质量块宽度尺寸大于附加质量块中间的贯穿槽；本发明自调频振动能量收集装置可以调节振动能量收集器固有频率，实现与转动激励频率相匹配，增加振动能量收集器工作频带宽度。
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