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公开(公告)号：CN108439326A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810398572.8
申请日：2018-04-28
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基结构的微热板及其制备方法，所述微热板的衬底采用晶向为 的单晶硅，所述衬底表面由内致外依次覆盖有多孔硅层、绝热层和加热区，所述绝热层为二氧化硅层，所述加热区为Pt电极；其中，衬底背部与多孔硅层被腐蚀成坑。本发明的微热板在原有的腐蚀基础上，进一步腐蚀中间的多孔硅层。腐蚀后的绝热层，与空气接触面积变大，因为空气的导热性能差，所以可以有效的防止工作区的热量散失到硅基上；新设计的旁热式Pt电极能将热量有效的集中在工作区域内，提高工作效率。所述制备方法成本低，加工工艺稳定，易于批量生产。
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公开(公告)号：CN110596053A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910976623.5
申请日：2019-10-15
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/552
Abstract: 本发明公开了一种基于光纤表面等离子体共振的血糖浓度检测系统，涉及材料增敏基于表面等离子体共振(SPR)的光纤折射率生物传感器用于检测血糖浓度。在传统的光纤SPR传感器的金属层外涂覆氧化锌和二硫化钨材料，用于提高传感器结构的灵敏度与生物检测的兼容性。光纤生物传感器的灵敏度得以提高，就能被广泛应用于医药学和早期疾病诊断。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110164509A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910479042.0
申请日：2019-06-03
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯掺杂结构的模拟仿真方法，包括如下步骤：建立本征石墨烯的原子结构模型；对本征石墨烯进行掺杂；对掺杂后的石墨烯结构进行优化；采用密度泛函理论结合平面波赝势方法对本征石墨烯及掺杂石墨烯的结构、能带、态密度、电荷密度进行模拟仿真计算。本发明实现了对本征石墨烯及掺杂Pt/Pd原子后的石墨烯的结构、能带、态密度、电荷密度进行模拟仿真计算；揭示了对本征石墨烯掺杂Pt/Pd原子都可以打开石墨烯的带隙，增强其导电性；通过增加掺杂原子Pt的含量，可以使得掺杂结构带隙变大，能带曲线变得更加密集，电荷转移程度增大。
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公开(公告)号：CN110596053B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201910976623.5
申请日：2019-10-15
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/552
Abstract: 本发明公开了一种基于光纤表面等离子体共振的血糖浓度检测系统，涉及材料增敏基于表面等离子体共振(SPR)的光纤折射率生物传感器用于检测血糖浓度。在传统的光纤SPR传感器的金属层外涂覆氧化锌和二硫化钨材料，用于提高传感器结构的灵敏度与生物检测的兼容性。光纤生物传感器的灵敏度得以提高，就能被广泛应用于医药学和早期疾病诊断。
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公开(公告)号：CN110164509B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201910479042.0
申请日：2019-06-03
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯掺杂结构的模拟仿真方法，包括如下步骤：建立本征石墨烯的原子结构模型；对本征石墨烯进行掺杂；对掺杂后的石墨烯结构进行优化；采用密度泛函理论结合平面波赝势方法对本征石墨烯及掺杂石墨烯的结构、能带、态密度、电荷密度进行模拟仿真计算。本发明实现了对本征石墨烯及掺杂Pt/Pd原子后的石墨烯的结构、能带、态密度、电荷密度进行模拟仿真计算；揭示了对本征石墨烯掺杂Pt/Pd原子都可以打开石墨烯的带隙，增强其导电性；通过增加掺杂原子Pt的含量，可以使得掺杂结构带隙变大，能带曲线变得更加密集，电荷转移程度增大。
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公开(公告)号：CN208182611U
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201820626465.1
申请日：2018-04-28
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本实用新型公开了一种硅基结构的微热板，所述微热板的衬底采用晶向为 的单晶硅，所述衬底表面由内致外依次覆盖有多孔硅层、绝热层和加热区，所述绝热层为二氧化硅层，所述加热区为Pt电极；其中，衬底背部与多孔硅层被腐蚀成坑。本实用新型的微热板在原有的腐蚀基础上，进一步腐蚀中间的多孔硅层。腐蚀后的绝热层，与空气接触面积变大，因为空气的导热性能差，所以可以有效的防止工作区的热量散失到硅基上；新设计的旁热式Pt电极能将热量有效的集中在工作区域内，提高工作效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210037709U
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201920760261.1
申请日：2019-05-24
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N29/02
Abstract: 本实用新型公开了一种新型声表面波传感器，包括压电基板，压电基板上部两侧分别设置有输入叉指式换能器和输出叉指式转化器，压电基板上设置有二氧化硅阵列，二氧化硅阵列位于输入叉指式换能器和输出叉指式转化器之间的感应区，二氧化硅阵列与感应区波传播方向垂直，二氧化硅阵列的长度与输入叉指式换能器和输出叉指式转化器相等，二氧化硅阵列包括等间距平行设置的二氧化硅单元，二氧化硅单元的形状为长方体形。本实用新型提供的一种新型声表面波传感器，能够减少表面波在传播过程中在垂直方向上的损耗，进而提升压电介质的应变产生电位移，改善声表面波传感器性能。
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