公开(公告)号：CN110164509B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN201910479042.0

申请日：2019-06-03

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 李卫 ,  王琳琳 ,  蔡云 ,  潘沛锋 ,  冯烨 ,  赵建胜 ,  郝文斌 ,  陈剑锋

IPC: G16C20/20 ,  G16C20/30

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯掺杂结构的模拟仿真方法，包括如下步骤：建立本征石墨烯的原子结构模型；对本征石墨烯进行掺杂；对掺杂后的石墨烯结构进行优化；采用密度泛函理论结合平面波赝势方法对本征石墨烯及掺杂石墨烯的结构、能带、态密度、电荷密度进行模拟仿真计算。本发明实现了对本征石墨烯及掺杂Pt/Pd原子后的石墨烯的结构、能带、态密度、电荷密度进行模拟仿真计算；揭示了对本征石墨烯掺杂Pt/Pd原子都可以打开石墨烯的带隙，增强其导电性；通过增加掺杂原子Pt的含量，可以使得掺杂结构带隙变大，能带曲线变得更加密集，电荷转移程度增大。

公开(公告)号：CN110164509A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910479042.0

申请日：2019-06-03

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 李卫 ,  王琳琳 ,  蔡云 ,  潘沛锋 ,  冯烨 ,  赵建胜 ,  郝文斌 ,  陈剑锋

IPC: G16C20/20 ,  G16C20/30

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯掺杂结构的模拟仿真方法，包括如下步骤：建立本征石墨烯的原子结构模型；对本征石墨烯进行掺杂；对掺杂后的石墨烯结构进行优化；采用密度泛函理论结合平面波赝势方法对本征石墨烯及掺杂石墨烯的结构、能带、态密度、电荷密度进行模拟仿真计算。本发明实现了对本征石墨烯及掺杂Pt/Pd原子后的石墨烯的结构、能带、态密度、电荷密度进行模拟仿真计算；揭示了对本征石墨烯掺杂Pt/Pd原子都可以打开石墨烯的带隙，增强其导电性；通过增加掺杂原子Pt的含量，可以使得掺杂结构带隙变大，能带曲线变得更加密集，电荷转移程度增大。

公开(公告)号：CN210037709U

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201920760261.1

申请日：2019-05-24

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 李卫 ,  潘沛锋 ,  蔡云 ,  王琳琳 ,  冯烨 ,  赵健胜 ,  郝文斌 ,  陈剑锋

IPC: G01N29/02

Abstract: 本实用新型公开了一种新型声表面波传感器，包括压电基板，压电基板上部两侧分别设置有输入叉指式换能器和输出叉指式转化器，压电基板上设置有二氧化硅阵列，二氧化硅阵列位于输入叉指式换能器和输出叉指式转化器之间的感应区，二氧化硅阵列与感应区波传播方向垂直，二氧化硅阵列的长度与输入叉指式换能器和输出叉指式转化器相等，二氧化硅阵列包括等间距平行设置的二氧化硅单元，二氧化硅单元的形状为长方体形。本实用新型提供的一种新型声表面波传感器，能够减少表面波在传播过程中在垂直方向上的损耗，进而提升压电介质的应变产生电位移，改善声表面波传感器性能。