一种用于信号完整性分析的码型的产生方法

    公开(公告)号:CN112329372B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202011288499.2

    申请日:2020-11-17

    IPC分类号: G06F30/367

    摘要: 本发明公开了一种可用于信号完整性分析的码型的产生方法,读取信号全链路S参数模型,确定各高速接口中比特位的串扰排序,根据受害信号的最大攻击者数量来确定每个信号线对应的被攻击者;生成PRBS种子码型,使其包含最坏码间干扰效应,将所述PRBS种子码型改写成码型a;以码型a为种子码型,生成包含各信号的串扰的码型b;读取PDN链路的S参数模型或PDN阻抗谐振频率,对码型b进行后处理,生成包括最差电源噪声的码型c。本发明能仿真出PRBS码型理论上的最坏结果,也能准确仿真出高速接口全链路的信号质量,解决了传统方法不能考虑电源噪声且本身存在精度问题的缺陷,使高速接口全链路验收设计依据更可靠,避免过设计或欠设计,节省设计成本。

    一种基于可扩展小芯片架构的超级异构计算方法

    公开(公告)号:CN112612748A

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN202011574027.3

    申请日:2020-12-25

    IPC分类号: G06F15/78 G06F15/163

    摘要: 本发明公开了一种基于可扩展小芯片架构的超级异构计算方法,将相同或不同的功能模块,在分开的晶元上设计实现;并通过高速芯片互联链路实现小芯片间的互联互通以及协同工作;所述超级异构计算,具体为将一份计算任务由两个或多个计算模块来协同执行完成计算,所述计算模块分别设置于不同的小芯片上。本发明突破异构架构在SoC内的面积与生产良率等限制,以及伴随的性能及算力限制,利用小芯片的灵活可配置特性,能非常弹性的扩展异构计算的总体算力配置,通过成熟小芯片的复用,可以快速的配置推出符合市场需求的新产品。

    一种集成电路制造用多工位的测试设备

    公开(公告)号:CN115445969A

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202210925697.8

    申请日:2022-08-03

    IPC分类号: B07C5/344 B07C5/02

    摘要: 本发明公开了一种集成电路制造用多工位的测试设备,包括连接架,所述连接架的中部开设有传动槽,所述传动槽内部的两侧均转动连接有传动中轴,所述传动中轴的中部两侧固定连接有六边传动轮,两个六边传动轮之间固定连接有加强内杆。该集成电路制造用多工位的测试设备,通过滑动杆与翻转齿轮的设置,可在需要将翻转内板翻转时,通过六边传动轮带动传动外框移动至合适位置时,使翻转齿轮与传动齿槽啮合,随后通过单向液压缸推动滑动杆移动,通过翻转齿轮与传动齿槽的啮合,使得翻转齿轮转动,从而带动翻转内板转动,将集成电路板进行翻转,通过翻转齿轮的设置,无需使用电机进行驱动,即可完成翻转,不仅生产较为方便,而且造价较低。

    一种分布式可拓展的小芯片设计架构

    公开(公告)号:CN112613264A

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN202011573655.X

    申请日:2020-12-25

    IPC分类号: G06F30/38 G06F115/02

    摘要: 本发明公开了一种分布式可拓展的小芯片设计架构,在分开的晶元上设计相同或不同的功能模块架构,实现的分布式可扩展计算;所述功能模块架构中通过小芯片的架构实现具体设计;所述小芯片间通过高速芯片互联链路实现互联互通以及协同工作。本发明打破了SoC在单一芯片面积的限制,以及伴随的性能及算力限制。提升利用小芯片的高生产良率,减低总体芯片成本,达到应用配置及性能上灵活的可扩展性。

    一种半导体晶圆在线配液刻蚀机
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117080114A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202310870765.X

    申请日:2023-07-14

    摘要: 本发明公开了一种半导体晶圆在线配液刻蚀机,涉及半导体工艺技术领域,包括机箱,机箱的内部设置安装有进液槽罐,进液槽罐的顶部设置安装有抽吸泵,抽吸泵的顶端通过管路连通有搅拌调温组件,搅拌调温组件的侧端连通有输液管,输液管的侧端连通设置有三通管,三通管的外部安装设置有三通管阀,通过在分液组件、抽吸泵、进液槽罐和线性调节组件配合下,提高对不同类型半导体晶圆进行刻蚀作业的操作有效性,其中在碱性液管和酸性液管进行输送刻蚀液对半导体晶圆进行刻蚀过程中,利用氧化剂传感器对氧化剂进行控制,使得在最小需求量下,控制最适当的刻蚀液浓度对不同类型半导体晶圆的刻蚀作业进行提高刻蚀效率作业。

    一种用于多芯片集成电路用封装制造设备

    公开(公告)号:CN115312405A

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202210925912.4

    申请日:2022-08-03

    IPC分类号: H01L21/56 H01L21/67 B08B1/04

    摘要: 本发明公开了一种用于多芯片集成电路用封装制造设备,包括工作转盘,所述工作转盘的底端转动连接有工作板,所述工作板的顶面中心位置固定连接有电机,所述电机的输出端与所述工作转盘之间固定连接,所述工作板的顶面绕工作转盘的外侧位置逆时针方向依次固定连接有第一传送带、多工位传送带、灌胶机、第二传送带、封装机构和人工检测台。本发明通过向下滑动滑动环,使滑动环带动第一加热架和第二加热架向下移动,转动环和螺纹外丝由于之间螺纹连接,使滑动环和转动环在下滑最后一小段距离时,滑动环下滑保持不转,滑轨上的清理铲绕着第一加热架的轨迹转动,实现了电路底板和电路顶板外溢的热固胶进行铲除清理的效果。

    一种能够消除气泡的半导体晶圆加工用覆膜装置

    公开(公告)号:CN117087156A

    公开(公告)日:2023-11-21

    申请号:CN202310865485.X

    申请日:2023-07-14

    IPC分类号: B29C63/02 B29L31/34

    摘要: 本发明公开了一种能够消除气泡的半导体晶圆加工用覆膜装置,涉及半导体晶圆加工技术领域,包括:支架组件。该能够消除气泡的半导体晶圆加工用覆膜装置,在使用时,覆膜过程中,通过启动气泵,由进气管吸入的气体在加压作用下,经过出气管输送到气腔内,此时气腔内的气体会将气泡消除板和硅胶密封活塞向下压,直到消泡辊按压住覆膜台上的保护膜,消泡辊在覆膜的过程中边转动边按压,可以减小摩擦力,对膜具有保护作用,紧贴上之后,通过同时启动两个多级电推杆,使得两个多级电推杆推动着整个消泡组件向前,在推动的过程当中消泡辊对保护膜和半导体晶圆本体是紧紧按压的,具有消泡作用。

    一种用于信号完整性分析的码型的产生方法

    公开(公告)号:CN112329372A

    公开(公告)日:2021-02-05

    申请号:CN202011288499.2

    申请日:2020-11-17

    IPC分类号: G06F30/367

    摘要: 本发明公开了一种可用于信号完整性分析的码型的产生方法,读取信号全链路S参数模型,确定各高速接口中比特位的串扰排序,根据受害信号的最大攻击者数量来确定每个信号线对应的被攻击者;生成PRBS种子码型,使其包含最坏码间干扰效应,将所述PRBS种子码型改写成码型a;以码型a为种子码型,生成包含各信号的串扰的码型b;读取PDN链路的S参数模型或PDN阻抗谐振频率,对码型b进行后处理,生成包括最差电源噪声的码型c。本发明能仿真出PRBS码型理论上的最坏结果,也能准确仿真出高速接口全链路的信号质量,解决了传统方法不能考虑电源噪声且本身存在精度问题的缺陷,使高速接口全链路验收设计依据更可靠,避免过设计或欠设计,节省设计成本。