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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101509123B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200910024491.2
申请日：2009-02-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法，属于光电子器件材料技术领域。其主要步骤为在电子束蒸发仪腔体中装入靶材和衬底，关闭电子束蒸发仪的腔体，将腔体内抽真空并烘烤腔体，调节电子束斑，使之打在ITO靶材表面，调节电子束束流，使靶材蒸发后在衬底上的沉积速率为0.2-0.5nm/s，待衬底上达到所需沉积厚度时，停止蒸发，冷却后完成制备。本发明利用常规电子束蒸发装置在较低温度下制备出小尺寸的ITO纳米线材料。所获得的纳米材料不仅具有优异的场发射性能和良好的减反射特性，而且均匀可控，成本低廉，可以实现大面积制备，不需要添加任何催化剂，因此可以在发光、显示和光伏产业中应用。
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公开(公告)号：CN100569631C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200810024440.5
申请日：2008-03-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种制备合金相变材料纳米点阵的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括在水表面铺设单层纳米聚苯乙烯小球PS小球、用衬底材料捞PS小球单层膜、反应离子刻蚀、退火去除PS掩模版、在纳米阵列上层蒸镀绝热绝缘材料、去除蒸镀层表皮各步骤，形成相互绝热、绝缘的纳米相变材料阵列。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，避免使用成本昂贵的超精细加工技术，获得高密度、高均匀度的锗锑碲和硅锑碲纳米点阵，使得相变材料的有源区的尺寸达到几十纳米甚至几纳米，有助于大大降低材料发生相变所需的电压和功耗，使硫系化合物纳米相变材料走出实验室，切实实现产业化。
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公开(公告)号：CN101509123A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910024491.2
申请日：2009-02-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法，属于光电子器件材料技术领域。其主要步骤为在电子束蒸发仪腔体中装入靶材和衬底，关闭电子束蒸发仪的腔体，将腔体内抽真空并烘烤腔体，调节电子束斑，使之打在ITO靶材表面，调节电子束束流，使靶材蒸发后在衬底上的沉积速率为0.2－0.5nm/s，待衬底上达到所需沉积厚度时，停止蒸发，冷却后完成制备。本发明利用常规电子束蒸发装置在较低温度下制备出小尺寸的ITO纳米线材料。所获得的纳米材料不仅具有优异的场发射性能和良好的减反射特性，而且均匀可控，成本低廉，可以实现大面积制备，不需要添加任何催化剂，因此可以在发光、显示和光伏产业中应用。
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公开(公告)号：CN101281884A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810024961.0
申请日：2008-05-20
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/822 , H01L21/316 , H01L21/283 , H01L33/00 , C23C14/30 , C23C14/08
Abstract: 本发明涉及一种可用于硅基光电集成器件的SiOx薄膜制备方法，属于光电子材料技术领域。该方法包括清洗硅片衬底并去除其表面自然氧化层后干燥、在电子束蒸发沉积装置中通入O2蒸发薄膜、制备器件电极各步骤。本发明的方法仅用氧气作为气源，成本低、对环境无污染，且在低温下进行，操作安全。
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公开(公告)号：CN101244803A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810024440.5
申请日：2008-03-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种制备合金相变材料纳米点阵的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括在水表面铺设单层纳米聚苯乙烯小球PS小球、用衬底材料捞PS小球单层膜、反应离子刻蚀、退火去除PS掩模版、在纳米阵列上层蒸镀绝热绝缘材料、去除蒸镀层表皮各步骤，形成相互绝热、绝缘的纳米相变材料阵列。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，避免使用成本昂贵的超精细加工技术，获得高密度、高均匀度的锗锑碲和硅锑碲纳米点阵，使得相变材料的有源区的尺寸达到几十纳米甚至几纳米，有助于大大降低材料发生相变所需的电压和功耗，使硫系化合物纳米相变材料走出实验室，切实实现产业化。
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