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公开(公告)号：CN101477967B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910029174.X
申请日：2009-01-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/822 , B82B3/00 , H01L45/00 , G11C11/56
Abstract: 本发明涉及一种制备垂直结构相变存储器的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件技术领域。该方法包括准备衬底、镀隔热层、镀薄膜层、铺设模板、离子刻蚀、去除模板、镀绝热层、抛光磨平、光刻腐蚀、复镀绝热层、复抛磨平、制作电极各步骤。本发明采用纳米阵列的相变材料作为存储信息的载体，通过在电极与相变材料之间导入合适的介质层，提高了相变有源区的热效率，使得存储器件的操作电流与功耗得到有效降低，并且工艺简单、成本低廉，从而为制造出适合PCRAM的商用化存储器奠定了基础。
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公开(公告)号：CN101244803A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810024440.5
申请日：2008-03-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种制备合金相变材料纳米点阵的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括在水表面铺设单层纳米聚苯乙烯小球PS小球、用衬底材料捞PS小球单层膜、反应离子刻蚀、退火去除PS掩模版、在纳米阵列上层蒸镀绝热绝缘材料、去除蒸镀层表皮各步骤，形成相互绝热、绝缘的纳米相变材料阵列。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，避免使用成本昂贵的超精细加工技术，获得高密度、高均匀度的锗锑碲和硅锑碲纳米点阵，使得相变材料的有源区的尺寸达到几十纳米甚至几纳米，有助于大大降低材料发生相变所需的电压和功耗，使硫系化合物纳米相变材料走出实验室，切实实现产业化。
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公开(公告)号：CN103760637B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410046359.2
申请日：2014-02-10
Applicant: 南京大学
IPC: G02B6/125
Abstract: 本发明提供了一种微型高性能正交硅波导结构，采用正交交叉的波导结构，波导的组成材料为硅。在波导结构的内部、四个正交交叉口处分别设有棱镜结构，棱镜结构的折射率低于组成波导的基底材料。进一步地，在波导结构的正交交叉点的四个外角处加设有修饰结构，其厚度与波导的厚度一致；所述修饰结构由两个形状相同的微结构拼接而成，两个微结构拼接后沿着正交交叉外角的对角线成镜面对称。当基模在波导内传播时，本发明的结构可以保持小于0.2dB的损耗，同时可以维持很低的串扰损耗和反射损耗，其值分别为小于-35dB和小于-30dB。本发明的另一个很重要的优点是结构的几何尺寸很小，整个设计的交叉结构尺寸仅约为1×1um2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103760637A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410046359.2
申请日：2014-02-10
Applicant: 南京大学
IPC: G02B6/125
Abstract: 本发明提供了一种微型高性能正交硅波导结构，采用正交交叉的波导结构，波导的组成材料为硅。在波导结构的内部、四个正交交叉口处分别设有棱镜结构，棱镜结构的折射率低于组成波导的基底材料。进一步地，在波导结构的正交交叉点的四个外角处加设有修饰结构，其厚度与波导的厚度一致；所述修饰结构由两个形状相同的微结构拼接而成，两个微结构拼接后沿着正交交叉外角的对角线成镜面对称。当基模在波导内传播时，本发明的结构可以保持小于0.2dB的损耗，同时可以维持很低的串扰损耗和反射损耗，其值分别为小于-35dB和小于-30dB。本发明的另一个很重要的优点是结构的几何尺寸很小，整个设计的交叉结构尺寸仅约为1×1um2。
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公开(公告)号：CN101667619B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910183439.1
申请日：2009-09-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种提高纳米硅/二氧化硅发光器件发光强度的方法，属于半导体发光器件技术领域。该方法的主要步骤为：以聚苯乙烯小球为掩模，对硅衬底表面进行等离子体刻蚀；在纳米硅衬底的硅锥结构表面淀积多层a-Si:H/SiO2薄膜；再放入退火炉内，先后完成脱氢退火、快速热退火和稳态高温退火，得到预定周期的nc-Si/SiO2薄膜。本发明的主要有益效果是：阵列式的硅锥粗糙表面增强了场发射效应，从而使得载流子的注入效率得以提高，并提高了器件的光提取效率，限制了器件的漏电流和功耗，不会影响薄膜质量，操作简单，工艺可靠，参数可精确调节，有很好的可控性与重复性。
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公开(公告)号：CN101667619A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910183439.1
申请日：2009-09-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种提高纳米硅/二氧化硅发光器件发光强度的方法，属于半导体发光器件技术领域。该方法的主要步骤为：以聚苯乙烯小球为掩模，对硅衬底表面进行等离子体刻蚀；在纳米硅衬底的硅锥结构表面淀积多层a-Si:H/SiO 2 薄膜；再放入退火炉内，先后完成脱氢退火、快速热退火和稳态高温退火，得到预定周期的nc-Si/SiO 2 薄膜。本发明的主要有益效果是：阵列式的硅锥粗糙表面增强了场发射效应，从而使得载流子的注入效率得以提高，并提高了器件的光提取效率，限制了器件的漏电流和功耗，不会影响薄膜质量，操作简单，工艺可靠，参数可精确调节，有很好的可控性与重复性。
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公开(公告)号：CN100569631C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200810024440.5
申请日：2008-03-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种制备合金相变材料纳米点阵的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括在水表面铺设单层纳米聚苯乙烯小球PS小球、用衬底材料捞PS小球单层膜、反应离子刻蚀、退火去除PS掩模版、在纳米阵列上层蒸镀绝热绝缘材料、去除蒸镀层表皮各步骤，形成相互绝热、绝缘的纳米相变材料阵列。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，避免使用成本昂贵的超精细加工技术，获得高密度、高均匀度的锗锑碲和硅锑碲纳米点阵，使得相变材料的有源区的尺寸达到几十纳米甚至几纳米，有助于大大降低材料发生相变所需的电压和功耗，使硫系化合物纳米相变材料走出实验室，切实实现产业化。
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公开(公告)号：CN101477967A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910029174.X
申请日：2009-01-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/822 , B82B3/00 , H01L45/00 , G11C11/56
Abstract: 本发明涉及一种制备垂直结构相变存储器的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件技术领域。该方法包括准备衬底、镀隔热层、镀薄膜层、铺设模板、离子刻蚀、去除模板、镀绝热层、抛光磨平、光刻腐蚀、复镀绝热层、复抛磨平、制作电极各步骤。本发明采用纳米阵列的相变材料作为存储信息的载体，通过在电极与相变材料之间导入合适的介质层，提高了相变有源区的热效率，使得存储器件的操作电流与功耗得到有效降低，并且工艺简单、成本低廉，从而为制造出适合PCRAM的商用化存储器奠定了基础。
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